Dans des domaines tels que les semi - conducteurs, le micro - Nano - usinage, les revêtements optiques et les nouveaux matériaux énergétiques, la préparation de films minces de haute qualité est la pierre angulaire de la performance des dispositifs. Le système de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, grâce à son effet assisté par plasma, permet le dépôt efficace de films minces de haute qualité à des températures relativement basses et est devenu un équipement de processus clé dans la fabrication avancée et la R & D.

　　Système PECVDLe cœur de la technologie réside dans l'utilisation de l'activité plasma. En excitant le gaz réactif (précurseur) dans une cavité sous vide à l'état de plasma, un grand nombre d'ions, d'électrons et de radicaux libres hautement actifs sont produits. Ces groupes actifs réduisent considérablement l'énergie d'activation nécessaire à la réaction chimique, apportant ainsi deux avantages principaux:

Capacité de dépôt à basse température: par rapport à la CVD thermique traditionnelle qui nécessite des températures de substrat de plusieurs centaines de degrés Celsius ou même jusqu'à plusieurs milliers de degrés, le processus PECVD permet généralement le dépôt de couches minces à plusieurs centaines de degrés Celsius ou même à des températures inférieures. Cette caractéristique permet une large application sur des substrats qui ne résistent pas aux températures élevées, tels que les polymères plastiques, les puces avec des circuits métallisés finis, les substrats électroniques flexibles, etc., élargissant considérablement le scénario d'application.

2, excellente qualité du film et caractéristiques réglables: le film préparé par PECVD a des caractéristiques telles que dense, uniforme, forte adhérence et bonne couverture des marches. En contrôlant avec précision des paramètres tels que la puissance du plasma, la pression atmosphérique, le rapport de débit de gaz et la température, il est possible de réguler efficacement les contraintes, l'indice de réfraction, les propriétés électriques (telles que la constante diélectrique) et les rapports stoechiométriques des films minces, répondant ainsi aux besoins d'Applications diverses.

Les systèmes PECVD peuvent être utilisés pour la préparation d'une grande variété de films fonctionnels, y compris, mais sans s'y limiter:

1, film mince de nitrure de silicium: comme excellente couche de passivation, couche de masquage et couche diélectrique, il est largement utilisé dans les circuits intégrés et les cellules solaires.

2, film mince de dioxyde de silicium: comme couche de milieu isolant couramment utilisé.

3, silicium amorphe / film mince de silicium microcristallin: utilisé pour les transistors à couche mince et les cellules solaires à couche mince.

4, film de carbone de type diamant: pour le revêtement de protection anti - abrasion et anti - friction.

Le système PECVD combine avec succès des taux de dépôt efficaces, une excellente qualité de film et des conditions de processus douces. Son émergence, un grand saut dans la technologie de préparation de films minces, fournit un support technique puissant pour le développement de l'industrie moderne de haute technologie.