Université Cornell SiliconModulateur optoélectroniqueLa recherche a fait une percée

Cornell zui a presque fait une percée dans l'intégration optoélectronique, ils ont réussi à étudier un type de silicium à l'échelle du micronModulateur optoélectronique. précédemment sur siliciumModulateur électro - optiqueTous de l'ordre du millimètre, il est difficile de réaliser une intégration optoélectronique au sens pratique du terme. Les modulateurs GaAs, bien que petits, ne supportent pas bien les circuits intégrés au silicium actuels. Le numéro d'hier de nature a publié un article de Michal lipson, professeur adjoint à Cornell. Dans l'article, ils présentent une cavité résonante annulaire, une structure dans laquelle les guides d'ondes rectilignes et les guides d'ondes de jardin sont couplés ensemble, le diamètre des guides d'ondes de jardin étant un nombre entier de fois la longueur d'onde autorisée. La cavité résonante annulaire utilisée dans l'article a un diamètre de 12 microns et correspond exactement à la longueur d'onde de 1576 nm. La périphérie de cette structure annulaire est un anneau de silicium dopé négativement, formant ainsi avec l'anneau interne une structure pin. Lorsqu'une tension est appliquée à la jonction PN, des électrons et des trous sont injectés dans le Guide d'onde, ce qui modifie l'indice de réfraction du Guide et la fréquence de résonance, ce qui détermine le passage et le blocage du signal. La clé de cette conception est l'introduction d'un guide d'onde en anneau remplaçant les guides d'onde longs qui étaient auparavant nécessaires. Dans l'expérience, les auteurs ont découvert qu'une tension de 0,3 V permettait de bien contrôler le modulateur. Ce test a permis une modulation de 1,5 Gbps.
Les co - auteurs de l'article, intitulé "micrometer - scale Silicon Electro Optic Modulator.", comprennent également qianfan Xu et Bradley Schmidt, étudiants diplômés de Cornell, et Sameer Pradhan, chercheur postdoctoral chez Intel.

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