Technologies AnricFondée en 2014 par des experts renommés en processus ALD de l'Université HarvardGroupe du professeur Roy GordonDes chercheurs ont été créés pour combler le marchéDépôt de petites couches atomiques de paillasse(ALD Equipment) est un outil de conception et d'optimisation pour les universités, les start - ups, les entreprises qui explorent la technologie de dépôt de couche atomique (ALD), le lancement de lignes pilotes et les fabricants spécialisés.

La société se concentre sur la recherche sur les processus et les équipements ALD, ses membres techniques de base sont tous de l'Université Harvard, ils ont accumulé une vaste expérience dans les processus ALD et peuvent fournir aux clients des solutions de personnalisation de processus complexes, sontPetits échantillons et utilisateurs à petit budgetOptions- Oui.

Le dépôt de couche atomique est une technique particulière de dépôt chimique en phase vapeur, une méthode de formation d'un film mince en faisant passer alternativement un précurseur en phase vapeur dans une chambre de réaction et en provoquant une réaction chimique colère - solide à la surface de la matrice de dépôt. ALD est généralement une composition de séquence semi - réactive de a, B, avec des caractéristiques d'auto - limitation de surface, avec une excellente conformabilité tridimensionnelle, une grande uniformité de la surface, un contrôle de l'épaisseur de la membrane sous - monocouche et une faible température de croissance, etc.

Le principe de croissance ALD est de déposer des films minces couche par couche à la surface du substrat par dépôt alterné de précurseurs réactifs.

Un cycle de dépôt de couche atomique peut être divisé en quatre étapes:

1. Dans le premier précurseur: le premier précurseur est pulsé dans la Chambre de réaction pour qu'il réagisse par adsorption chimique avec la surface de la matrice;

Nettoyage au gaz inerte: la Chambre de réaction est nettoyée à l'aide d'un gaz inerte tel que l'azote ou le gaz pour éliminer le premier précurseur qui n'a pas réagi et les sous - produits de la réaction;

3. Passage dans le deuxième précurseur: le deuxième précurseur est pulsé dans la Chambre de réaction pour réagir chimiquement avec le premier précurseur adsorbé à la surface de la matrice pour produire un film mince;

Nettoyage au gaz inerte à nouveau: utilisez à nouveau un gaz inerte pour éliminer le deuxième précurseur et les sous - produits qui n'ont pas réagi.

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