Ce client est un fournisseur professionnel de matériaux de substrat pour la technologie de nitrure de gallium sur saphir semi - conducteur de troisième génération (Gan sur Sapphire). La société développe des matériaux de substrat adaptés en fonction de différents domaines d'application de puce et de leurs caractéristiques techniques épitaxiales, fournit des solutions complètes de matériaux de substrat pour les dispositifs au Nitrure de gallium par la conception de structures graphiques, l'application de combinaisons de matériaux différentes, la mise en œuvre de processus de fabrication, etc.

Actuellement, les principaux produits de la société comprennent un substrat saphir graphique (PSS) de 2 à 6 pouces, un substrat Composite graphique (MMS), principalement appliqué à l'éclairage, à l'affichage, à la source de rétro - éclairage, Mini/Micro LED、 LED UV profond et d'autres domaines. La société a établi le Centre de recherche et de développement de technologie d'ingénierie de substrat de semi - conducteur de la province du Guangdong, autour de la technologie de dispositif optoélectronique avancé de prochaine génération de Gan pour la recherche et le développement intégrés de substrat et d'épitaxie, pour mener des recherches techniques telles que le substrat de saphir pour les dispositifs de puissance de Gan.

Le fr scanner Membrane thickmeter est une interférométrie visible dans la gamme de longueurs d'onde 370 - 1020nm, capable de mesurer l'épaisseur de la couche de membrane dans la gamme 12nm - 100um avec une précision allant jusqu'à 0,1% ou 1nm avec une précision de 0,02nm, est un dispositif de mesure d'épaisseur de membrane avec une précision de déplacement de plate - forme élevée, permettant la fonction de mesure de Mapping multipoint, basé sur un échantillon de 8 "la vitesse de mesure la plus rapide peut atteindre 300 points par minute.