Contexte de recherche et défis: pérovskite texturée à haute efficacité énergétique/Goulot d'étranglement technologique pour les cellules solaires empilées de silicium

1. Chute du potentiel technologique et des pratiques industrielles

Pérovskite/Piles solaires empilées de silicium en raison de l'utilisation de l'énergieLigne mature de production de silicium cristallinEt réaliserHaute efficacité de conversion de puissance (PCE), qui est devenu le Centre d'intérêt des universités et de l'industrie. Ces dernières annéesPCELes percées proviennent principalement de: optimisation de la technologie de gestion de la lumière, amélioration de la qualité cristalline de la pérovskite et passivation des défauts, développement de couches monomoléculaires auto - assemblées sélectives des trous, et pérovskite./Couche de transport électronique (C60) Stratégie de passivation de l'interfaceProgrès.

Cependant, les stratégies de passivation efficaces existantes sont Multi - appliquées pourProcessus de préparation de solutions pour substrats platsNécessite souvent des batteries à base de siliciumTraitement personnalisé(comme polissage supplémentaire ou ajustement de la taille de la pyramide). Ceci est en relation avecTechnologie de silicium standard pour l'industrieTopographie pyramidale aléatoire adoptée (hauteur> 1 μm, très au - dessus de l'épaisseur de pérovskite) Il existe un conflit essentiel, ce qui rend difficile l'intégration de stratégies efficaces àSubstrat en silicium Texturé- Oui.

2. Le défi central des batteries empilées texturées

À base de silicium Texturé de grande taillePérovskite texturée/Batterie empilée de siliciumBien qu'ayantAvantages des coûts de fabricationetExcellent effet de gestion de la lumièreMais dans la mise en œuvre de pérovskite efficace/ C60Face à des obstacles techniques critiques en termes de passivation de l'interface, conduisant à une comparaison avec les dispositifs platsTension en circuit ouvert (COV) pertes supérieures à100 mV- Oui.

3. Mécanismes électriques de perte de performance

Une analyse approfondie a montré que la baisse des performances des batteries empilées texturées résulte des problèmes électriques suivants:

• Effet de décalage de bande: Entre la pérovskite et la couche de transport électroniqueGrand décalage de bande de guidage (ΔEC, ETL), entraînant un déséquilibre important de la concentration de porteurs au contact supérieurEt cet effet s'étend à tout le volume de pérovskite

• Perte composite d'interface: Le déséquilibre de la concentration en porteurs est déclenchéTaux de composition d'interface élevé, résultant directement COVBaisse significative

• Dégradation des performances de transmission: La concentration moyenne de porteurs dans la couche absorbante est limitéeConductivité interneCausant un transport important de porteurs et une perte de sélectivité, qui se manifeste parFacteur de remplissage (FF) mauvaise performance

Équipe de recherche et principaux résultats

Cette étude a été réalisée parInstitut Fraunhofer pour les systèmes solaires, Allemagne (Fraunhofer ISE) deOussama Er-rajiProfesseur etpar Stefan W. Glunz教授Et l'Université des sciences et technologies du Roi Abdallah (KAUST) deStefaan De WolfCo - dirigé par des professeurs, résultats de recherche publiés dans des revues internationales La science. L'équipe de recherche a réussi à proposer une stratégie d'ingénierie d'interface révolutionnaire qui a considérablement amélioré la norme industrielle en pérovskite Texturé/Performance et stabilité des cellules solaires empilées de silicium.

Principales stratégies de recherche

• Procédé mixte de dépôt de pérovskite en deux étapes: Compatible avec les substrats en silicium Texturé standard industriels

• PDAITechnologie de traitement de surface: Introduction1,3 -Diaminopropane dihydroiodure pour le traitement de surface de pérovskite, réduire la pérovskite avec la couche de transport d'électrons (C60), le décalage de la bande de conduction entre et induit une accumulation d'électrons dans toute la couche absorbante de pérovskite

Réalisations en recherche et points de vue techniques

Fig.4D

• Innovation de base: mécanismes de passivation profonde de l'effet de champ pour l'accumulation d'électrons

• Briser la limitation de la passivation d'interface traditionnelle qui inhibe uniquement la recombinaison d'interface,PDAIInduction d'une accumulation d'électrons significative à l'intérieur de toute la couche absorbante de pérovskite

• Réduction réussie de la pérovskite/ C60Décalage de la bande de guidage d'interface (ΔEC, ETL), réduction des pertes composites d'interface

• Améliore considérablement la conductivité de la couche absorbante de pérovskite, réduit considérablement la perte de transport de porteurs et améliore la performance du facteur de remplissage

• Percée des jalons de performance des dispositifs

• Efficacité de conversion de puissance (PCE) etDa 33,1%, piles empilées texturées créatives New High

• Tension en circuit ouvert (COV) etJusqu'à 2,01 V, élimine les dispositifs texturés du passé> 100 mVChute de performance

• Facteur de remplissage (FF) etAugmentation significative, confirmant l'efficacité de la stratégie de perte de transmission réduite

• Performance de l'architecture compatible avec l'industrie comparable à celle des dispositifs de maintien des records actuels

• Excellente stabilité et potentiel d'application industrielle

• ObtenirCertifié31,6%stablePCEDémontrer la valeur de l'application pratique

• PDAILe traitement améliore considérablement la stabilité opérationnelle à long terme du dispositif en inhibant la migration ionique

• Excellente performance dans l'environnement extérieur chaud et humide le long de la côte de la mer Rouge et dans le test de chaleur humide,FFetCOVBonne résistance aux pertes

• Stratégie pour démontrer la reproductibilité entre les différents instituts de recherche et démontrer la faisabilité de l'industrialisation

Étapes expérimentales et processus

Fig.4B

1. Préparation de la batterie de fond en silicium Texturé

Adoption250 μmépaispPlaquette de silicium à zone flottante de type (résistivité1 Ω· cm）， 利用KOHSolution pour la texturation pyramidale aléatoire double face standard industrielle, formant1 à 4 μmStructure pyramidale de hauteur. Après nettoyage chimique humide à l'ozone,PECVDTechnologie dépôt intrinsèque sur les deux faces/Couche de passivation en silicium amorphe dopé (~ 27 nm), et Splash sur l'avant et l'arrière respectivementITOCouche de restructuration (20 nm) avec completeITO/AgStructure des électrodes. Finalement graver la foudre de la plaquette comme2,2 x 2,2 cm²ou2,5 x 2,5 cm²Substrat, réservé1 x 1 cm² ITOLe Plot comme zone active.

2. Technologie de dépôt hybride pour batteries supérieures en pérovskite

Substrat de silicium nettoyé à l'éthanol etUV/Après le traitement à l'ozone, dépôt d'abord par centrifugationLe Me-4PACzCouche de transport de trous. Couche absorbante de pérovskite adoptéeUne évaporation hybride innovante en deux étapes/Méthode de spin CoatingPréparation: (Un)Co - évaporationPbI₂du/CsXSquelette inorganique (~ 550 nm), (Ii)Revêtement rotatif dynamiqueFAI/FABrSolution d'halogénures organiques (avec un peu d'agent de cristallisation de l'urée) et en ajustantFABr/FAIContrôle proportionnel de la bande cible Gap (1.67 ou1,70 eV). Dans l'air après l'achèvement100°CRecuit 10 Minutes.

3. PDAIMise en œuvre de la stratégie de passivation de l'interface

Après formation de la couche de pérovskite, on introduitTechnologies innovantes de base-1,3 -Dihydroiodure de diaminopropane (PDAI) Traitement de surface- Oui.PDAISoluble dans le chlorobenzène/Solvant mixte Isopropanol, perméableEnduit par rotation ou immersionDépôt de manière (la méthode de revêtement par immersion montre une bonne évolutivité), suivi de100°CRecuit 3 Minutes, réalisation de pérovskite/ C60Passivation profonde des effets de champ de l'interface.

4. Construction d'électrodes et de couches optiques

compléterPDAIAprès traitement, évaporation sous vide séquentielleC60Couche de transport électronique (18 nm),ALDDépôtdu SnOₓ Couche tampon (15 à 30 nm,80°C), blindage pulvérisation top transparent oxyde conducteur (ITOouinformation), évaporationAgÉLECTRODE supérieure (650 nm), et enfin évaporation thermiqueMgFₓ Couche antireflet (140 nm). Tous les processus d'évaporation sont surveillés avec précision par une Microbalance à cristal de quartz.

5. Évaluation de la stabilité et Encapsulation

Pour évaluer la stabilité à long terme, adopterPVLa bande et la pâte d'argent relient la batterie et font l'emballage de qualité industrielle. La structure d'emballage contient du verre solaire,TPUAgent d'encapsulation etPIBScellant de bord, l'ensemble dans la machine de laminage sous vide120°CTraitement 20 Minutes pour assurer d'excellentes performances de protection de l'environnement.

Résultats de recherche et caractérisation

Division d'ordre quasi - fermien(QFLS)Analyse des images

QFLSTension en circuit ouvert pour quantifier les matériaux(COV)Potentiel pour aider les chercheurs à comprendre les sources de pertes composites non radiatives et à évaluer l'impact de différents procédés sur les propriétés des matériaux, fournissant des preuves pour l'ingénierie des interfaces et l'optimisation des matériaux.

Division d'ordre quasi - fermiergique du film de pérovskite de référence(iVOC)L'image montre une grande volatilité spatiale, écart - type(σ)pour38 mV, la moyenne est1,23 V. passé PDAIAprès le traitement,iVOCL'uniformité spatiale est considérablement améliorée,σRéduit à26 mV, moyenneiVOCAugmenté20 mVAtteint1,25 V, qui montrePDAIPossède de légères propriétés de passivation chimique. Dans le dépôtC60Après cela, la pile de référenceiVOCBaisse80 mVà1,15 VEt plus largement distribué(σ = 65 mV)Mais PDAILa pile après PassivationiVOCRester dans1,23 VLa distribution est également plus étroite(σ = 17 mV)- Oui.

Figure 3ALes références etPDAIFilm de pérovskite après traitementiVOCLes images.

Pour une maîtrise précise des matériauxQFLSCaractérisation et évaluation rapide de son potentiel,EnlitechdeCarteur QFLSL'instrument de détection de division d'ordre quasi - fermien est idéal. Il peut être extrêmement rapide (QFLSL'image n'est pas 3 Secondes,Pseudo J-VLa courbe n'est pas 2 Minutes) offre intuitiveQFLSVisualisez les images et mesureziVOCEt,Pseudo J-VEt,PLQYEtEL-EQEEtc. paramètres clés. Cela aidera non seulement les chercheurs à prédire rapidement les limites d'efficacité des matériaux, mais aussi à visualiser d'un coup d'œil la qualité des matériaux et la distribution de l'ordre de Fermi, améliorant considérablement l'efficacité de la recherche et du développement.

J-VMesure des courbes

Pour l'évaluation directe des paramètres de performance clés des cellules solaires. PseudoJ-V (pseudo-J-V)La courbe sert alors à quantifier la résistance série du dispositif(RS)Et perte de transmission.

À traversPDAIStratégie, dispositif PCEde29,1%Élevé à32,3%, dont COVde1,83 VAugmenté à1,94 V,FFde79,4%Élevé à81,6%. Le dispositif record atteint encore plus 33,1%dePCEet2,01 VdeCOV- Oui.

PseudoJ-VAffichage des mesures,PDAIAprès traitement, le facteur de pseudo - Remplissage(pFF)Avec RealFFLa différence du dispositif de référence6%Baisse significative à3%. En même temps,Points de puissance(MPP)Résistance série(RS)Aussi à partir de 6 Om-Le centimètre carré réduit à 3 Om-Centimètre carré. Cela montrePDAIPrincipalement par la régulation de la densité de porteurs, réduitRSContribution non - Aum, réduisant ainsi les pertes de transmission.

Figure 4D Montrant la pile solaire empilée deJ-VLa courbe, quiPCEAtteint33,1%,COVpour2,01 VDémontrant la percée de la performance de cette stratégie de recherche.

Figure 3E Les références etPDAIDe cellules solaires empilées passivéesJ-V, pseudoJ-VEt dérivationJ-VCourbe, affichage intuitifPDAIComment réduirepFFAvecFFL'écart entre, démontrant son efficacité dans la réduction des pertes de transmission.

Fig. S17A En outre fourni avecPDAITraitement et aucunPDAIDispositif traité sous balayage avant et arrièreJ-VLa courbe et ses paramètres photovoltaïques détaillés, montrant clairementPDAIDansCOVEt,FFetPCEL'Ascension.

Effectuer avec précisionJ-VMesure de courbe, en particulier pour les cellules solaires de nouvelle génération telles que la pérovskite/Batteries empilées de silicium,Enlitechde SS-X AM1.5GSimulateur de lumière solaire Spectral standard Peut fournirA+Précision spectrale de classe et excellente stabilité. Associez - le IVS-KA6000Logiciel de test completNon seulement peut - on effectuer le forward/InverséIVScan et tests multicanaux, mieux équipésNRELFonction de détection asymptotique.SS-XCombinéSS-IRISTechnologie, peut ajuster automatiquement l'intensité lumineuse sans changer le spectre, soutenirSun-VocDes tests complexes.

EQEmesure

Les mesures sont utilisées pour déterminer l'efficacité de la collecte de courant d'une cellule solaire sous différentes longueurs d'onde de lumière et pour évaluer l'adaptation de courant entre les différentes sous - Cellules de la cellule empilée.

PDAIAprès traitement, le dispositif Densité de courant de court - circuit(JSC)Reste inchangéCe résultat est lié àEQEEt les résultats des mesures de réflectivité sont cohérents. L'équipe de recherche a également gavé la pérovskite à partir de1,67 eVAjustement à1,70 eVPour une meilleure adaptation du courant, ce qui améliore encore les performances du dispositif.EQELa stabilité de la courbe prouve également indirectement que la stabilité à long terme du dispositif n'est pas affectée.

Fig. S17B Les références etPDAIDu dispositif de traitementEQELes résultats de mesure, montrant des courbes de réponse spectrale similaires pour les deux, ont soutenuJSCMaintenir une observation cohérente.

Fig. S17C Les résultats des mesures de réflectivité correspondantes sont affichés, ce qui valide davantage la comparabilité en termes de gestion optique.

Fig. S23A Alors différentes bandes gap sont montrées (1,67 eVet1,70 eV) du dispositifEQEMesure, soulignant comment l'ajustement de bande interdite affecte les bords d'absorption spectrale des sous - batteries de pérovskite pour atteindre l'adaptation de courant.

Enlitechde QE-RSystème de mesure d'efficacité quantique Est un outil de confiance dans la recherche photovoltaïque, avec sa Répétabilité et sa précision, largement utilisé dans plus de 500 Un laboratoire de recherche photovoltaïque et a été1000Plusieurs articlesSCICitations d'articles, y compris des revues phares telles que nature, science, etc.QE-RLe système est spécialement conçu avec un double amplificateur à verrouillage de phase indépendant capable de mesurer avec précision l'efficacité quantique des cellules solaires à jonction multiple, y compris la pérovskite/Cellules solaires empilées de silicium cristallin. Il offreEQEEt,IPCEEt,SREt,IQEEt réflectivité et d'autres données, et peut effectuer des calculs d'intégration de courant.

UPSAvecAM-KPFMmesure

Spectroscopie photoélectronique ultraviolette(UPS)Fonction de travail pour l'analyse des films minces(Wf)Et potentiel d'ionisation(IP), pour étudier la pérovskite/ C60Alignement des bandes de l'interface. Microscope à force de sonde Kelvin à variation d'amplitude(AM-KPFM)Ensuite, il est utilisé pour vérifier la variation de la fonction de travail et observer l'uniformité de la distribution du potentiel de surface.

UPSAffichage des mesures,PDAIFonction de travail de film mince de pérovskite après Passivation(Wf)Augmentation par rapport à l'échantillon de référence270 méV(de4,49 eVAugmenter à4,76 eV). potentiel d'ionisation(IP)Les variations indiquent la formation de dipôles. Cette formation dipolaire conduit à uneC60La bande d'énergie à l'interface est décalée de l'échantillon de référence180 méVMinimisé à70 méV- Oui.AM-KPFMLes résultats sont également affichésPDAILa distribution du potentiel de surface après traitement est plus uniforme.

Figure 2A Les références etPDAITraitement de la zone de coupure électronique secondaire du filmUPSRésultats de la mesure.

Figure 2C Les références etPDAITraitement des films etC60Diagramme de bande.

Fig. S9G Puis à traversAM-KPFMLes résultats des mesures montrent la référence etPDAIDistribution de la fonction travail du film traité.

DFTCalcul

Calcul pour une compréhension approfondie du niveau théoriquePDAILe mécanisme par lequel les molécules forment un dipôle à la surface de la pérovskite et sa direction.

DFTLe calcul révèlePDAILes molécules ont 8,27 DLe moment dipolaire. L'étude a révélé,PDAISurface de pérovskite enrichie organiquement (évaporation mixte utilisée dans cette étude/Surface produite par la méthode de revêtement par rotation) lorsqu'ils interagissent, ilsInduire un pointageC60Le dipôle positifCe qui entraîne une augmentation de la fonction travail. Ceci est cohérent avec la tendance à l'augmentation de la fonction de travail observée expérimentalement.

Fig. 2D MontréPDAIStructure chimique et diagramme de potentiel électrostatique de la molécule.

Figure 2F MontréPDAIAvec Organic TerminalMAPbI3Structure optimisée et différence de densité de charge induite après interaction.

Figure 2G PrésentéPbI2-Terminal etMAI-Le terminalMAPbI3Avec ou sansPDAIFonction de travail calculée dans le cas.

Résolution du tempsPL (TRPL)Avec spectre d'absorption transitoire(TA)

Photoluminescence résolue dans le temps(trpl)Mesure du processus de compétition utilisé pour découpler le transfert de charge d'interface et la recombinaison de charge d'interface. Absorption transitoire(TA)La spectroscopie est ensuite utilisée pour étudier en détail la dynamique des porteurs et les signaux d'état piège non émis sur des échelles de temps nanosecondes.

AvecC60L'échantillon de référence dont la durée de vie différentielle est~ 1 μsAtteindre la période de plate - forme, par rapport à aucunC60L'échantillon de référence a été réduit d'un ordre de grandeur, ce qui indique que la recombinaison interfaciale domine la dynamique. En comparaison,ParPDAITraitées et avecC60La pile affiche la durée de vie différentielle de la plate - forme est d'environ~ 10 μsEt aucuneC60Le temps est~ 13 μsCela suggère fortementCompositions d'interface considérablement réduites dans la pile cible- Oui.TALes résultats des mesures montrent en outre que le signal de porteurs de pièges peu profonds à longue durée de vie présent dans l'échantillon de référence,PDAIDisparaît après traitement.PDAILe traitement fait référence/ C60De la pileTABlanchissement à bande interdite pondéré durée de vie moyenne des porteurs à partir de27 nsAugmenté à53 ns, confirméCOVLa principale raison de cette amélioration est la réduction de la recombinaison interfaciale.

Figure 3B Les références etPDAIAnalyse temporelle des films traitésPLCourbe d'atténuation.

Fig. 3D Présente la référence et dans la mesure d'absorption transitoirePDAICourbe d'atténuation du blanchiment par bande interdite du film traité.

Soleils-VOCmesure

Réalisé en circuit ouvert, évitant l'extraction de charges, le pseudo obtenuJ-VLa courbe est considérée sans perte de transmission et peut être utilisée pour quantifier la résistance série totale(RS)- Oui.

Les résultats des mesures ont révélé que, bien que le facteur de pseudo - Remplissage(pFF)Rester dans85%Inchangé, mais pFF-FFLa différence est dansPDAIDu dispositif de passivation à partir du dispositif de référence6%Réduit à3%. Par conséquent, au point de puissance(MPP)Résistance série(RS)Diminution significative des valeurs calculées,de 6 Om-Centimètre carré réduit 3 Om-Centimètre carré. évalué à différentes tensions de fonctionnementRS, le dispositif cible montre une pente plus petite, soulignePDAIPrincipalement en ajustant la densité de porteurs, réduitRSContributions non - Aum.

Figure 3E Les références etPDAIDe cellules solaires empilées passivéesJ-V, pseudoJ-VEt dérivationJ-VLa courbe.

Fig. S14 Les références etPDAIPièces de processeur à différentes tensions de fonctionnementRSLa courbe.

Extraction de charge assistée par polarisation(BACE)mesure

Utilisé pour quantifier la concentration d'ions mobiles dans les cellules solaires, ce qui est essentiel pour comprendre la stabilité opérationnelle à long terme des dispositifs pérovskites.

Après le test de stabilité,Concentration en ions mobiles du dispositif de référence(6,5 × 10^17 cm)⁻³) etEst le dispositif cible(2,6 × 10^17 cm)⁻³) etPrès de trois fois. Cela peut être une raison évidente pour la dégradation accélérée du dispositif de référence. Les résultats montrent quePDAIPérovskite modifiée/ C60L'interface permet de fixer efficacement la migration ionique, améliorant ainsi la stabilité de fonctionnement du dispositif.

Fig. S26A, B Présente une référence représentative des cellules solaires etPDAICellules solaires passivées avant et après le test de stabilitéBACERésultats de la mesure.

Autres caractérisations

Essai extérieur de stabilité et de chaleur humide Vérifier la fiabilité à long terme du dispositif dans un environnement opérationnel réel.PDAIDispositif de passivation montrant la stabilité dans l'environnement extérieur le long de la côte de la mer Rouge, test de chaleur humidePCETaux de rétention par rapport aux performances initiales à partir de73,7%Élevé à83,4%, augmentation significativeFFAvecCOVCapacité anti - atténuation.(figure 4F, figure S27)

XSpectroscopie photoélectronique des rayons (XPS) et confirmerPDAIL'adsorption réussie des molécules à la surface de la pérovskite interagit chimiquement. DétectéPDAISignaux caractéristiques moléculaires,C-NRenforcement du signal clé,N 1sEt,Pb 3DetJe 3DDéplacement du niveau d'énergie du noyau vers une faible énergie de liaison, confirméPDAIUne interaction efficace se produit avec la surface de la pérovskite.(Fig. S5A-D)

Caractérisation structurelle (XRD, GIWAXS, STEM) et VérificationPDAILe traitement n'affecte pas l'intégrité de la structure cristalline de pérovskite. Confirmation qu'aucune phase pérovskite de faible dimension n'est formée dans le système,3DLa structure pérovskite reste inchangée à l'interface,PDAILe traitement n'a pas eu d'effet significatif sur la morphologie de la pérovskite.(Fig. S6A-G, Fig. S7C-E)

Microscope électronique à balayage (SEM) et Observez la morphologie de la section transversale du dispositif et la structure de surface du film mince de pérovskite. Vérifier que la structure des couches est claire,PDAIL'addition n'a pas entraîné de modification de la taille apparente des grains de pérovskite, en maintenant une bonne conformabilité du film.(figure 4B, figure S8A-B)

Spectre Térahertz et courant de limitation de charge spatiale (SCLC) et Mesurer la mobilité des porteurs et la densité des défauts, comprendre le mécanisme de levage de la conductivité. La mobilité des porteurs reste proche (16,5-18,5 cm²/Vs), concentration accrue d'électrons à la cause sous - jacente de la réduction de la résistance série, densité de défauts à partir de1,55 × 10 ^ 15Réduit à1,15 × 10 ^ 15 cm ^ -3- Oui.(Fig. S15, Fig. S16A-B)

Résumé des conclusions et des résultats de l'étude

Développement réussi de la recherche basé sur1,3 -Dihydroiodure de diaminopropane (PDAI) etLa stratégie de passivation, améliore considérablement les normes industrielles de la pérovskite texturée à base de silicium/Efficacité et stabilité des cellules solaires empilées de silicium.

Performance record du dispositif

Implémentation du dispositif33,1%Efficacité de conversion photoélectrique (PCE) et et2,01 VTension en circuit ouvert (COV) et, dontÉtat stable certifiéPCEDa31,6%.cela permet aux performances des batteries empilées à base de silicium Texturé d'égaler les records actuels des batteries empilées de type planaire, démontrant la faisabilité d'une passivation efficace sur des substrats industriels complexes, surmontant les défis de passivation posés par les surfaces élevées.

Innovation de base: mécanismes de passivation par effet de Champ profond

PDAIIngénierie par fonction de travail Dans la pérovskite/ C60L'interface induit un moment dipolaire positif, qui seraDécalage de la bande de guidage (ΔEC, ETL) à partir du dispositif de référence180 méVRéduit au dispositif cible70 méVLa percée clé réside dans la « Passivation par effet de Champ profond ». Extension de l'accumulation électronique àMatériau entier de couche absorbante de pérovskiteDe sorte que la concentration moyenne d'électrons dans la couche absorbante est simulée à partir de1 × 10 ^ 14Élevé à4×10^15 cm^-3. Ceci est remarquableAméliore la conductivité de la couche absorbante et réduit les pertes de transport de porteursDevenir le facteur de remplissage (FF), principal moteur de l'amélioration.

Excellente stabilité à long terme

Dispositifs sur la côte de la mer Rouge environnement extérieur Fonctionnement continu plus de1000Heures pour maintenir une sortie stable, test de chaleur humide (85°C, 85 % RH, 1000Heures),PCEPar rapport aux performances initialesTaux de rétention à partir de73,7%Élevé à83,4%- Oui.PDAITraitement efficacePérovskite fixe/ C60Migration ionique sur l'interface, réduit considérablement la concentration d'ions mobiles, améliore fondamentalement la stabilité de fonctionnement du dispositif.

Potentiel d'application industrialisé

Cette stratégie est compatible avec l'industrieMéthode de dépôt mixte en deux étapesMatch, adapté aux substrats en silicium Texturé de grande taille pyramidale. L'étude a été validée parMéthode de revêtement par immersionDépôtPDAIL'évolutivité, son mécanisme d'action lui permet d'améliorer avec succès ses performances dans de nombreuses compositions de pérovskite.

Référence de la littérature: 10.1126 / science.adx1745

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