Fabrication de matrices ganled: Xiamen ZHONGJIN Research Semiconductor Co., Ltd. Utilise le système de gravure plasma nordsonmarchrie - 1701 pour fabriquer des matrices de diodes électroluminescentes (LED) au Nitrure de gallium (Gan) en utilisant un plasma SF6. Une plaquette épitaxiale ganled de 2 pouces à base de saphir est découpée en puces de 1 cm x 1 cm avec du Cu comme matériau de masquage pour être structurée par lithographie ultraviolette. L'influence de différentes puissances RF et de substrats porteurs sur la vitesse de gravure du Gan, ainsi que la rugosité de surface induite par la gravure, ont été étudiées au cours de la gravure. On a finalement réussi à fabriquer des matrices de LED à haute densité qui ont amélioré l'uniformité de la gravure et la rugosité de surface en ajoutant un substrat porteur, et qui ont subi un recuit à haute température pour réduire l'impédance de contact entre le métal et le Gan.

Gravure avancée de process de pré - puce: primonanova de SMIC ® Dispositif de gravure par plasma à couplage inductif, appliqué à la gravure de dispositifs semi - conducteurs de 7 nm, 5 nm et plus avancés. L'appareil utilise la technologie de gravure par plasma à couplage inductif de propriété intellectuelle autonome, avec une cavité réactive parfaitement symétrique, une vitesse de pompage moléculaire ultra - élevée et d'autres conceptions innovantes. Peut être utilisé dans une variété de procédés de gravure de conducteurs, tels que la gravure d'isolation de tranchée peu profonde (STI), la gravure de grille en silicium polycristallin; Il peut également être utilisé pour la gravure de médias, tels que la gravure murale interstitielle (spaceretch), etc., peut fournir une fenêtre de processus plus large pour la fabrication de puces, réaliser des coûts de fabrication inférieurs, a fonctionné normalement sur plusieurs lignes de production de clients, avec un taux de performance stable.

Gravure de grille de plaquette de 8 pouces: dans le processus de gravure de grille de plaquette de 8 pouces, un système composite utilisant la combinaison gxs est associé à une machine de gravure au plasma. Les données de production de l'usine de génération de puces montrent que cette combinaison peut stabiliser le vide de la cavité de gravure à 5 × 10⁻⁴ mbar, ce qui permet à la vitesse de gravure sio₂ d'atteindre 1200 Å / min avec une erreur d'homogénéité à l'intérieur de la puce ≤ 1,5%. Par rapport au schéma de pompe d'étanchéité utilisé précédemment, le taux de défauts après gravure est passé de 0,35% à 0,08%, la capacité annuelle d'un seul appareil a augmenté d'environ 2 300 comprimés.

Procédé d'interconnexion en cuivre semi - conducteur: dans le procédé d'interconnexion en cuivre semi - conducteur, la couche d'oxyde métallique est traitée à l'aide d'une machine de gravure au plasma. Grâce à un processus spécifique, les résidus de couche d'oxyde peuvent être contrôlés à < 0,5 nm, améliorant efficacement la qualité du processus. Dans l'encapsulation au niveau de la plaquette, le taux de rendement est passé de 92% à 99,6% avec ce procédé.