Dépôt de film minceEst un film plaqué sur le matériau de substrat principal du semi - conducteur. Ce film peut avoir une grande variété de matériaux, tels que la silice de composé isolant, le silicium polycristallin semi - conducteur, le cuivre métallique, etc.Cet appareil pour le revêtement est appelé appareil de dépôt de film.

Du processus de fabrication de puces semi - conductrices, il est situé dans le processus frontal.

Processus de préparation de filmSelon sa méthode de filmification peut être divisé en deux grandes catégories:Dépôt physique en phase vapeur (PVD) et dépôt chimique en phase vapeur (CVD),Parmi lesquelsLa part des équipements de processus CVD est plus élevée.

Dépôt physique en phase vapeur (PVD)Par gazéification de la surface source du matériau et dépôt à la surface de la matrice par gaz / plasma basse pression, comprenant évaporation, pulvérisation, faisceau d'ions, etc.;

Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)On entend par procédé de dépôt d'une couche de film solide à la surface d'une plaquette de silicium par réaction chimique de mélange de gaz, elle - même divisée en CVD normal (apcvd), CVD basse pression (LPCVD), CVD renforcé par plasma (PECVD), CVD Plasma haute densité (hdpcvd) et dépôt de couche atomique (ALD) selon les différentes conditions de réaction (pression, précurseur).