En tant qu'équipement de base pour le traitement des semi - conducteurs, de la microélectronique et des matériaux avancés, les machines de gravure au plasma doivent être choisies en tenant compte de facteurs multidimensionnels tels que la performance technique, la compatibilité des processus, la capacité d'expansion et le support de service. Les détails suivants sont tirés des principaux points d'achat:

I. principe technique et choix du modèle

Les machines de gravure au plasma produisent un plasma par ionisation de gaz par radiofréquence ou par micro - ondes, en utilisant le bombardment physique pour réaliser l'élimination du matériau en synergie avec des réactions chimiques. Les modèles Mainstream comprennent:

Gravure ionique réactive (rie): repose sur un plasma à couplage capacitif, adapté à la gravure de matériaux de base, moins coûteux mais avec une uniformité limitée.

Plasma à couplage inductif (ICP): génération de plasma haute densité par champs électromagnétiques à haute fréquence, combinant une vitesse de gravure élevée (jusqu'à 1 μm / min) et des caractéristiques de dommages faibles (énergie ionique < 10 EV), adapté au traitement de structures à rapport profondeur / largeur.

- gravure de couche atomique (ALE): basé sur le cycle "dépôt - réaction - décapage" qui permet une précision Sub - nanométrique et convient à la gravure de couches empilées NAND 3D.

II. Paramètres de performance de base

- précision et uniformité de la gravure: les processus avancés (par exemple, en dessous de 3 nm) nécessitent une uniformité interne de l'équipement de ≤ ± 1% et une rugosité de paroi latérale contrôlée à moins de 1 nm. Avec une plage de contrôle de la température allant de - 20 ℃ ~ 80 ℃, Oxford plasmapro System 133 icp380 garantit la cohérence des structures complexes.

- système de contrôle de la température: le contrôle dynamique de la température affecte directement le taux de gravure et la topographie. La série sentech si 500 utilise la technologie de refroidissement arrière à l'hélium, qui prend en charge un réglage large de - 150 ℃ à + 400 ℃, avec un mode à basse température qui réduit les dommages aux parois latérales de la gravure optique.

Iii. Compatibilité des processus et extensibilité

- capacité d'adaptation Multi - matériaux: il est nécessaire de vérifier les performances de gravure de l'équipement sur les matériaux à base de silicium, semi - conducteurs composés (Gan / SiC), métalliques (Cu / AL) et les matériaux intermédiaires. Par exemple, le gaz mixte cl₂ / bcl₃ convient à la gravure d'interconnexion en cuivre, tandis que le sf₆ convient mieux au traitement de l'aluminium.

- conception modulaire: le scénario de production de masse recommande l'équipement de Clustering, prend en charge jusqu'à 5 Intégration de module de processus, compatible avec le revêtement ALD avec le dépôt PECVD, permettant un traitement à guichet unique.

Iv. Intelligence et services

- système de contrôle intelligent: la préférence est donnée aux appareils équipés d'algorithmes d'IA qui peuvent optimiser le rapport gaz / paramètres de puissance en temps réel et réduire l'erreur d'intervention humaine. Certains modèles ont intégré la surveillance spectrale OES pour juger avec précision la fin de la gravure et éviter les problèmes de surimpression.

- capacité du fournisseur: examiner le réseau de support technique localisé du fournisseur et la vitesse de réponse après - vente. Les marques de têtes telles qu'Oxford instruments assurent une maintenance complète du cycle de vie, couvrant l'étalonnage régulier, le remplacement des pièces de rechange et la mise à jour de la base de données des processus.

V. Analyse coûts - avantages

- comptabilisation des coûts à cycle complet: en plus des coûts d'achat initiaux, la consommation d'énergie (environ 1,5 fois celle du rie pour les modèles ICP), la fréquence de maintenance et l'utilisation de la capacité doivent être évaluées. Prenez la ligne de production de plaquettes de 300 mm, par exemple, l'équipement ICP, bien que son prix unitaire soit élevé, peut réduire le coût d'une seule pièce de plus de 20%.