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Zhengzhou Chengyue Scientific Instrument Co., Ltd
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Zhengzhou Chengyue Scientific Instrument Co., Ltd

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    2e étage, bâtiment 5, rue Jinquan, quartier de haute technologie de Zhengzhou Zhengzhou Yinda Technology New Town 201

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Réalisation d'alumine transparente sur machine de revêtement évaporatif enroulée sous vide (Al?O ?), le dépôt de films minces, la nécessité de résoudre les problèmes de base tels que l'évaporation à haute température, le contrôle de la réaction d'oxydation, l'uniformité de l'enroulement. Voici les modes de mise en œuvre spécifiques et les principaux points techniques:

1. Conception de programme de processus

(1)Sélection de la source de vaporisation

Mode d'évaporation

Analyse d'applicabilité

Programme recommandé

évaporation du faisceau d'électrons

Matériau évaporable à point de fusion élevé (Al?O ?Point de fusion2050℃), mais sujettes aux éclaboussures

Nécessite une assistance par faisceau d'ions

évaporation par résistance

Faible coût mais difficile à atteindreAl?O ?Température d'évaporation (nécessaire>1800℃) et

Non recommandé

Pulvérisation magnétique contrôlée

Bien que le revêtement ne soit pas évaporé, il peut être compatible avec le système de bobinage (nécessite une modification de la disposition de la cible)

Alternatives

Sélection finale:
Vaporisation par faisceau d'électronsLe +Dépôt réactionnel assisté par plasma (PAR), à l'oxygène en évaporant l'aluminium, excité par plasma (RF 13,56 MHz), favorise la production d'alumine.

(2)Configuration du système de revêtement

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2. Optimisation des paramètres de processus clés

(1)Contrôle de l'évaporation

Taux d'évaporation de l'aluminium:0,5 à 2 nm/s(courant par faisceau d'électrons6-10kV/100-300mARégulation)

Pression partielle d'oxygène:2×10? 2 - 5×10? 2 Pa(trop haut conduit à une baisse de vitesse, trop bas conduit à une oxydation insuffisante)

Température du substrat:80 à 150℃ (requis pour le substrat polymère flexible< 120℃)

(2)Assistance plasma

paramètre

Valeurs typiques

Mécanisme d'action

RFpuissance

100 à 300W

Ionisation de l'oxygène pour générer des espèces réactives de l'oxygène

Polarisation

- 50Và- 100V

Densité renforcée de couche de membrane

Espacement plasma

50 à 100 mm

Équilibrer l'uniformité et l'efficacité d'activation

(3)Paramètres du système de bobinage

Vitesse de rouleau:0,1 à 1 m/min(épaisseur de film correspondante50 à 500nm) et

Contrôle de tension:10 à 20 N(éviter la déformation du substrat)

Température du rouleau de refroidissement:15 à 25℃ (empêche l'accumulation de chaleur)

3. Régulation des performances de la couche membranaire

(1)Optimisation des performances optiques

Contrôle de l'indice de réfraction:1,62 à 1,67(ajusté par rapport oxygène - aluminium)

Méthode: surveillance optique en ligne (550nmTransmittance locale> 85%) et

Coefficient d'extinction:< 0001(éviter les résidus d'aluminium métallique)

(2)Amélioration des propriétés mécaniques

Dureté:> 8 GPa(réalisé par dépôt assisté par faisceau d'ions)

Adhérence: parArPré - traitement plasma (50W, années 60) faitPETÉnergie de surface du substrat> 50mN/m

(3)Augmentation des performances de blocage

Transmission de vapeur d'eau (WVTR):<10? 3 g/m2/jour(épaisseur de film requise> 100 nmEt sans trou d'épingle)

Méthode de détection: méthode d'essai de calcium (85℃/ 85 % RH) et

4. Cas d'application typique

(1)Emballage électronique flexible

Besoins: enPETSubstrat (épaisseur125 μm) plaqué sur300 nm d'Al ? - Oui ?Couche barrière

Processus:

Aluminium évaporé par faisceau d'électrons (vitesse1,2 nm/s) et

Débit d'oxygène20sccm,RFpuissance200 watts

Vitesse de rouleau0,3 m/min, tension15 N

Résultats:

Transmittance de la lumière visible88%

WVTR 5×10 ?? g/m2/jour

(2)Panneau arrière photovoltaïque

Le défi: éviter les fissures de la couche de membrane pendant l'enroulement

La solution:

Avec dépôt segmenté (placage par cycle50 nm, refroidissement par intervalles10 ans) et

ajouterSiO ?Couche de transition (épaisseur10 nm) réduit les contraintes internes

5. FAQ et contre - mesures

Le problème

Analyse des causes

La solution

Couche de film gris/Opaque

L'aluminium n'est pas suffisamment oxydé

Augmenter la pression partielle d'oxygène ouRFpuissance

Épaisseur inégale du film de bord de bobine

Distribution inégale du plasma

Augmentation du balayage linéaire de la source Plasma

Chute de la couche de membrane

Contamination ou stress excessif de la surface du substrat

Renforcer le pré - nettoyage, réduire le taux de dépôt

6. Direction de la mise à niveau technique

(1)Synergie de sources de vaporisation multiples

Al + MgCo - évaporation: préparationMgDopageAl?O ?, améliorer les propriétés diélectriques

Technologie de chicane dynamique: réalisation de gradients d'épaisseur de membrane transversale (pour le filtrage optique)

(2)Contrôle intelligent

Optimisation du Machine Learning:

Entrée: taux d'évaporation, pression partielle d'oxygène, transmission données en temps réel

Sortie: réglage automatiqueRFDe puissancePIDparamètre

Système jumeau numérique:ANSYSSimulation de la chaleur pendant le bobinage-Effet de couplage de force

(3)Processus respectueux de l'environnement

Système de récupération de l'aluminium: la plaque de condensation recueille l'aluminium non déposé, taux de récupération> 90%

Conception basse consommation: avec plasma pulsé (Rapport cyclique)30%) réduit40%Consommation d'énergie

Conclusion:

La réalisation d'un film d'alumine transparent de haute qualité sur une machine de revêtement par évaporation à enroulement sous vide nécessite un contrôle ciblé de l'adéquation de la réaction d'oxydation et de la stabilité dynamique de l'enroulement. Grâce à l'évaporation par faisceau d'électrons combinée à l'aide d'un plasma, des films minces combinant une transmission lumineuse élevée et d'excellentes propriétés de barrière peuvent être obtenus sur un substrat flexible. Les orientations futures comprennent:
① Amélioration de l'uniformité de grande surface (largeur> 2 m);
② Dépôt continu ultra - mince (< 10 nmPas de trous d'épingle);
③ Avec d'autres couches fonctionnelles de membrane (telles queSiO ?Et,ITO), le dépôt composite en ligne.