09,14,2026 4vues
L'équipe de Chen Hongxing de l'Université du Zhejiang a publié un article de recherche dans Energy & Environmental Science intitulé « bimolecular Amines Vapor passion for Efficient Perovskite Solar Cells Based on Blade - Coated fapbi3». Ils ont proposé de manière innovantePassivation à la vapeur d'amine bimoléculaire (bavp)La technologie, a réalisé avec succès la préparation de la batterie de pérovskite de grande surface à haute efficacité, permet également à la batterie de montrer une excellente stabilité dans des conditions de haute température.
Après séchage du substrat Ito lavé au four à air, utilisezNettoyeur plasmaPT40K-BEUn traitement de 30 secondes est effectué, puis mis en service.
Lors de la préparation du film de pérovskite, la solution de précurseur est appliquée sur la surface du substrat ITO / niox / me - 4pacz à une vitesse de déplacement de 15 mm / s, suivie d'un couteau à air sec dans un environnement à faible humidité.Pf200 - H pelliculage spécial pour pérovskiteEffectuer un traitement de trempe.
Les données de test montrent que les batteries traitées par bavp obtiennent non seulement25,2%deExcellentEfficacité, sa stabilité est tout aussi excellente - les dispositifs non encapsulés ont une rétention d'efficacité jusqu'à 2616 heures à 85 ° C et 500 cycles de température de - 5 à 55 ° C, respectivement99,4%Avec97,5%Il montre clairement les perspectives d'application de cette stratégie pour améliorer les performances globales de la batterie.
A) une représentation schématique du procédé de passivation à la vapeur d'amine bimoléculaire (bavp) montrant comment le 2 - (PEA) et le 2 - (EDA) interagissent avec le film mince de pérovskite.
B) une représentation schématique de l’adsorption du PEA à la surface de la pérovskite où se termine le pbi2.
C) une représentation schématique de l'adsorption de l'EDA à la surface de la pérovskite terminée par pbi2.
D) courbe d'énergie libre de Gibbs pour la réaction du PEA avec le fa +.
(e) courbe d'énergie libre de Gibbs pour la réaction de l'EDA avec fa +.
A) Analyse par spectroscopie photoélectronique (XPS) aux rayons X montrant la variation de l'énergie de liaison du Pb 4f dans des films minces de pérovskite traités par PEA, EDA et bavp.
(b) passivation de la solution et (c) Kelvin sonde microscopie de force (kpfm) images de pellicules de pérovskite traitées par bavp.
Spectroscopie de diffraction des rayons X en incidence rasante résolue en profondeur (gixrd) des films minces de pérovskite traités par (d) Groupe de contrôle, (e) bavp et (f) Passivation en solution.
A) diagramme d'alignement des niveaux d'énergie des films de pérovskite sous différents traitements aux Amines.
B) La différence entre le fond de la bande de conduction de la pérovskite et le niveau de Fermi du film de pérovskite sous différents traitements.
C) spectroscopie de Photoluminescence (PL) en régime permanent.
D) courbe d'atténuation de la photoluminescence résolue dans le temps (trpl).
E) valeur du rendement quantique PL (plqy).
F - h) carte de la distribution de la force pl des films de pérovskite traités par différentes méthodes de passivation.
(A) La structure du dispositif de la cellule solaire Perovskite inversée utilisée dans cette étude.
B) Courbes J - V pour les dispositifs de petite surface non traités et traités à différentes Amines.
C) Courbes J - V pour les dispositifs traités par les méthodes de passivation à base de solution et à base de vapeur.
D) Efficacité de conversion photoélectrique représentative (PCE) des cellules et modules solaires Perovskites inversés préparés par grattage.
E) spectroscopie d'efficacité quantique externe (eqe) pour les dispositifs de petite surface traités par différentes méthodes de passivation.
F) Courbes J - V et images de modules solaires en pérovskite traités par différentes méthodes de passivation. G) spectroscopie d'impédance électrochimique (EIS) pour les dispositifs non traités et traités à différentes Amines.
H) photocourants transitoires (TPC) pour les dispositifs non traités et traités à différentes Amines.
(i) Caractéristiques du courant de limitation de charge spatiale (sclc) des dispositifs électroniques seuls, non traités et traités à différentes Amines.
