1n4746a module de Diode grande fréquence

1n4746a module de Diode grande fréquence

Le module Diode daecho est une série de dispositifs semi - conducteurs haute performance lancés par daecho, 1 N4746A 1N4747A 1N4748A 1N4749A 1N4750A 1N4751A 1N4752A 1N4753A 1N4754A 1N4755A 1N4756A 1N4757A 1N4758A 1N4759A 1N4760A 1N4761A 1N4762A 1N4763A1n4746a module de Diode grande fréquenceLargement utilisé dans le domaine de l'électronique de puissance. Prenez le module de Diode Schottky mbrp300100ct de daecho, qui adopte la conception de contact Schottky et le matériau principal est le silicium. Son courant nominal est de 30A, la tension de claquage inverse est de 100V, la chute de tension directe est d'environ 0,4v, peut réduire efficacement la perte de puissance et améliorer l'efficacité du circuit. Le temps de récupération inverse du module est extrêmement court, ce qui permet une réponse rapide dans l'alimentation à découpage haute fréquence, réduit les pertes de commutation et assure la fiabilité et la stabilité de l'alimentation. Grâce à ses excellentes caractéristiques électriques, à ses performances thermiques et à ses modèles de produits diversifiés, le module de Diode Arcade est en mesure de répondre aux besoins de différents clients et scénarios d'application et occupe une position importante sur le marché des dispositifs de puissance à semi - conducteurs.

Une diode est un dispositif électronique en matériau semi - conducteur (silicium, sélénium, germanium, etc.). La Diode a deux électrodes, l'électrode positive, également appelée anode; L'électrode négative, également appelée cathode, donne à la diode une tension directe entre les deux pôles lorsque la diode est conductrice et une tension inverse lorsque la diode est bloquée. La conduction et la coupure de la diode sont alors équivalentes à la fermeture et à l'ouverture de l'interrupteur.

Les diodes ont des propriétés de conductivité unidirectionnelle, le sens électrique de la conduction étant le flux de l'anode vers la cathode à travers le tube.

Les diodes ont été l'un des premiers dispositifs à semi - conducteur à naître et leurs applications sont très répandues. En particulier, dans divers circuits électroniques, l'utilisation de diodes et de résistances, de capacités, d'inductances et d'autres composants pour une connexion rationnelle, constituent des circuits de différentes fonctions, peuvent remplir de nombreuses fonctions telles que la rectification du courant alternatif, l'ondulation du signal de modulation, l'écrêtage et la régulation de la tension d'alimentation.

Que ce soit dans les circuits de radio courants ou dans d'autres produits d'appareils ménagers ou dans les circuits de commande industriels, la trace des diodes peut être trouvée.

IGBT est l'évolution naturelle des MOSFET de puissance verticale pour les courants forts, les applications haute tension et les équipements terminaux rapides. Comme la mise en œuvre d'une tension de claquage bvdss plus élevée nécessite un canal source - drain qui a une résistivité élevée, les MOSFET à succès ont la caractéristique d'avoir des valeurs RDS (on) élevées et les IGBT éliminent ces inconvénients majeurs des MOSFET de puissance existants. Bien que la dernière génération de MOSFET de puissance améliore considérablement les caractéristiques RDS (on), les pertes de conduction de puissance sont encore beaucoup plus élevées que les IGBT aux niveaux élevés. La faible perte de charge de l'IGBT, la capacité de convertir en un faible VCE (SAT) et la structure de l'IGBT permettent une densité de courant plus élevée par rapport au même dispositif bipolaire standard et simplifient le schéma du pilote IGBT.


Notre modèle complet: fusible rapide, fusible de stockage d'énergie, fusible rapide de tube rond, fusible photovoltaïque, fusible multimètre, fusible de NHG, etc. IGBT、 Thyristors, silicium commandable, diodes, etc.; D'autres marques Infineon, Basman, semicontrol, Siemens, SDA, etc. coopèrent.