1n5240b module de diode de grande famille

1n5240b module de diode de grande famille

Le module Diode daecho est une série de dispositifs semi - conducteurs haute performance lancés par daecho, 1 N5240B 1N5241B 1N5242B 1N5243B 1N5244B 1N5245B 1N5246B 1N5247B 1N5248B 1N5249B 1N5250B 1N5251B 1N5252B 1N5253B 1N5254B 1N5255B 1N5256B 1N5257B 1N5258B 1N5259B 1N5260B 1N5261B 1N5262B 1N5263B

1N5264B 1N5265B 1N5266B 1N5267B1n5240b module de diode de grande familleLargement utilisé dans le domaine de l'électronique de puissance. Prenez le module de Diode Schottky mbrp300100ct de daecho, qui adopte la conception de contact Schottky et le matériau principal est le silicium. Son courant nominal est de 30A, la tension de claquage inverse est de 100V, la chute de tension directe est d'environ 0,4v, peut réduire efficacement la perte de puissance et améliorer l'efficacité du circuit. Le temps de récupération inverse du module est extrêmement court, ce qui permet une réponse rapide dans l'alimentation à découpage haute fréquence, réduit les pertes de commutation et assure la fiabilité et la stabilité de l'alimentation. Grâce à ses excellentes caractéristiques électriques, à ses performances thermiques et à ses modèles de produits diversifiés, le module de Diode Arcade est en mesure de répondre aux besoins de différents clients et scénarios d'application et occupe une position importante sur le marché des dispositifs de puissance à semi - conducteurs.

Une diode est un dispositif électronique en matériau semi - conducteur (silicium, sélénium, germanium, etc.). La Diode a deux électrodes, l'électrode positive, également appelée anode; L'électrode négative, également appelée cathode, donne à la diode une tension directe entre les deux pôles lorsque la diode est conductrice et une tension inverse lorsque la diode est bloquée. La conduction et la coupure de la diode sont alors équivalentes à la fermeture et à l'ouverture de l'interrupteur.

Les diodes ont des propriétés de conductivité unidirectionnelle, le sens électrique de la conduction étant le flux de l'anode vers la cathode à travers le tube.

Les diodes ont été l'un des premiers dispositifs à semi - conducteur à naître et leurs applications sont très répandues. En particulier, dans divers circuits électroniques, l'utilisation de diodes et de résistances, de capacités, d'inductances et d'autres composants pour une connexion rationnelle, constituent des circuits de différentes fonctions, peuvent remplir de nombreuses fonctions telles que la rectification du courant alternatif, l'ondulation du signal de modulation, l'écrêtage et la régulation de la tension d'alimentation.

Que ce soit dans les circuits de radio courants ou dans d'autres produits d'appareils ménagers ou dans les circuits de commande industriels, la trace des diodes peut être trouvée.

IGBT est l'évolution naturelle des MOSFET de puissance verticale pour les courants forts, les applications haute tension et les équipements terminaux rapides. Comme la mise en œuvre d'une tension de claquage bvdss plus élevée nécessite un canal source - drain qui a une résistivité élevée, les MOSFET à succès ont la caractéristique d'avoir des valeurs RDS (on) élevées et les IGBT éliminent ces inconvénients majeurs des MOSFET de puissance existants. Bien que la dernière génération de MOSFET de puissance améliore considérablement les caractéristiques RDS (on), les pertes de conduction de puissance sont encore beaucoup plus élevées que les IGBT aux niveaux élevés. La faible perte de charge de l'IGBT, la capacité de convertir en un faible VCE (SAT) et la structure de l'IGBT permettent une densité de courant plus élevée par rapport au même dispositif bipolaire standard et simplifient le schéma du pilote IGBT.


Notre modèle complet: fusible rapide, fusible de stockage d'énergie, fusible rapide de tube rond, fusible photovoltaïque, fusible multimètre, fusible de NHG, etc. IGBT、 Thyristors, silicium commandable, diodes, etc.; D'autres marques Infineon, Basman, semicontrol, Siemens, SDA, etc. coopèrent.