Bienvenue client !

Adhésion

Aide

Shanghai zhangjun Industrial Co., Ltd
Fabricant sur mesure

Produits principaux :

instrumentb2b>Produits
Catégories de produits

Shanghai zhangjun Industrial Co., Ltd

  • Courriel

  • Téléphone

  • Adresse

    Suite 208, bâtiment 5, 88, route de Yibei, district de Songjiang, Shanghai

Contactez maintenant

Analyseur paramétrique de semi - conducteur de même whith521

Modèle
Nature du fabricant
producteurs
Catégorie de produit
Lieu d'origine

Vue d'ensemble

L'analyseur de paramètres de semi - conducteur tongweith521 est une solution complète pour la conception de circuits, peut aider est une solution complète pour la conception de circuits, peut aider les concepteurs de circuits électroniques de puissance à choisir les dispositifs de puissance appropriés pour leurs propres applications, de sorte que leurs produits électroniques de puissance à la valeur maximale. Il peut évaluer tous les paramètres pertinents du dispositif dans différentes conditions de fonctionnement, y compris les paramètres IV (tension de claquage et résistance à la conduction), la capacité FET à trois extrémités, la charge de grille et les pertes de puissance. Les Analyseurs de paramètres de semi - conducteurs de la série th521 pour la conception de circuits ont une fonction complète de suivi de courbe, ainsi que d'autres fonctions.

Détails du produit

Analyseur paramétrique de semi - conducteur de même whith521PrésentationPour:

Analyseur paramétrique de semi - conducteur de même whith521Est une solution complète pour la conception de circuits, peut aider est une solution complète pour la conception de circuits qui peut aider les concepteurs de circuits électroniques de puissance à choisir les dispositifs de puissance adaptés à leurs propres applications pour tirer le meilleur parti de leurs produits électroniques de puissance. Il peut évaluer tous les paramètres pertinents du dispositif dans différentes conditions de fonctionnement, y compris les paramètres IV (tension de claquage et résistance à la conduction), la capacité FET à trois extrémités, la charge de grille et les pertes de puissance. Les Analyseurs de paramètres de semi - conducteurs de la série th521 pour la conception de circuits ont une fonction complète de suivi de courbe, ainsi que d'autres fonctions.

La série th521 a une énergie de tension de sortie maximale atteignant ± 3500v une énergie de courant de sortie maximale atteignant ± 1800a, une résolution minimale de mesure de tension de 100nv, une résolution minimale de mesure de courant de 10fa, une tension de polarisation maximale du collecteur de mesure Capacitive atteignant ± 3500v, une fréquence de mesure pouvant atteindre 10mhz.

同惠TH521半导体参数分析仪


Caractéristiques de performance

Th521Caractéristiques conventionnelles

· jusqu'à3.5kV/1800ALarge gamme de travail

de-50°Cà+250°CTest thermique rapide entièrement automatique

· matériel technique pour la création automatique de dispositifs de puissance (semi - conducteurs et composants)

· la fonction d'enregistrement automatique empêche la perte de données

·AlÉcriture assistéePythonTester le script

TH521IVCaractéristiques du kit

· peut être entièrement automatique et rapide pour l'encapsulation et les dispositifs sur disqueIVmesure

RonEt,BVLes fuites,VthEt,Vsatattendre) et

· étroiteIVLargeur d'impulsion (la plus étroite 10μs), peut empêcher l'auto - échauffement du dispositif, mesure plus précise

Performance réelle du dispositif d'essai

· la vue d'oscilloscope (vue de Domaine temporel) peut surveiller la tension réelle/Forme d'onde d'impulsion de courant, pour

Mesure précise

*La configuration peut être étendue de manière flexible, ajouterCVetQg, gamme de courant à partir de20AExtensions

à200AEt,600Aou1800A

Th521Caractéristiques complètes du kit

·IVToutes les caractéristiques du kit

· mesure des dispositifs encapsulés dans3,5 kVCapacité d'entrée, de sortie et de transfert inverse du transistor dans le temps

(Ciss)Et,CossEt,CrssEt,CiesEt,CoesEt,Cres), ainsi que la résistance de grille(Rg)

· mesure de la charge de grille du dispositif encapsulé (Qg) La courbe

· calcul des pertes de puissance (pertes par conduction, entraînement et commutation)

Domaines d'application

· dispositifs de puissance à semi - conducteurs

Diodes, Triodes,MOSFETEt,IGBT, Thyristors, circuits intégrés, lumière

Test de capacité parasite des puces électroniques,C-VAnalyse des caractéristiques

· matériaux semi - conducteurs

Découpe de plaquettes,C-VAnalyse des caractéristiques

· matériaux liquides

Analyse de la constante élastique, découpe à cristaux liquides

· composants capacitifs

CondensateursC-VTest et analyse des caractéristiques, test et analyse des capteurs capacitifs


H521Paramètres techniques de l'analyseur de paramètres de semi - conducteur de série:

MCSMU

Plage de tension, résolution et précision

Gamme de tension

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et

*Grand courant

200 mV

100 nV

±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)

1A

2V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

1A

20 V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

1A

40V

40μV

±(0.06 + 3 + Io x 10)

1A


Plage de courant, résolution et précision

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure (%+A+A) et

*haute tension

10μA

10pA

±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)

30V

100μA

100pA

±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)

30V

1 mA

1nA

±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

30V

10 mA

10nA

±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)

30V

100 mA

100 nA

±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)

30V

1A

1uA

±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)

30V

Résolution typique

Position

*Haute tension

±30V

*Petit courant

10pA

Pulse * grand rapport cyclique

5%(le pic dépasse100 mALorsque) et

Impulsion * petite largeur

10μs

Impulsion * grande largeur

100ms(le pic dépasse100 mALorsque) et

Courant continu * courant élevé

±100 mA

Impulsion * grand pic

±1A

Impulsion * grande valeur de base

±50 mA(le pic dépasse100 mALorsque) et






HCSMU

Plage de tension, résolution et précision

Gamme de tension

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et

*Grand courant

200 mV

100 nV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)

20A

2V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

20A

20 V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

20A

40V

40μV

±(0.06 + 3 + Io x 10)

1A


Plage de courant, résolution et précision

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure (%+A+A) et

*haute tension

10μA

10pA

±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)

40V

100μA

100pA

±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)

40V

1 mA

1nA

±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

40V

10 mA

10nA

±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)

40V

100 mA

100 nA

±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)

40V

1A

1μA

±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)

40V

20A

20μA

±(0.4 Le + 2E-3+Vo x 1E-4)

20 V

Résolution typique

Position

*Haute tension

±40V

*Petit courant

10pA

Pulse * grand rapport cyclique

1%(le pic dépasse1ALorsque) et

Impulsion * petite largeur

50μs

Impulsion * grande largeur

1ms(le pic dépasse1ALorsque) et

Courant continu * courant élevé

±100 mA

Impulsion * grand pic

±20A

Impulsion * grande valeur de base

±100 mA(le pic dépasse1ALorsque) et






MPSMU

Plage de tension, résolution et précision

Gamme de tension

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et

*Grand courant

100 mV

100 nV

±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)

100 mA

1V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

100 mA

10 V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

100 mA

100V

100μV

±(0.012 + 2.5 + Io x 10)

20 mA(40V)

50mA(40V)

Plage de courant, résolution et précision

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure (%+A+A) et

*haute tension

1nA

1fA

±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)

100V

10nA

10fA

±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)

100V

100 nA

100fA

±(0.05 Le + 2E-11 Le + Vo x 1E-13)

100V

1μA

1pA

±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)

100V

10μA

10pA

±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)

100V

100μA

100pA

±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)

100V

1 mA

1nA

±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)

100V

10 mA

10nA

±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

100V

100 mA

100 nA

±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)

20 V

Résolution typique

Position

*Haute tension

±100V

*Petit courant

1fA





HVSMU

Plage de tension, résolution et précision

Gamme de tension

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure±(%+mV)

*Grand courant

200V

200 uV

±(0,03 + 40)

10 mA

500V

500 uV

±(0,03 + 100)

10 mA

1500V

1,5 V

±(0,03 + 300)

10 mA

3500V

3,5 V

±(0,03 + 600)

5 mA

Plage de courant, résolution et précision

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure (%+A+A) et

*haute tension

10nA

10fA

±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)

3500V

1μA

1pA

±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)

3500V

100μA

100pA

±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)

3500V

10 mA

10nA

±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)

1750V

Résolution typique

Position

*Haute tension

±3500V

*Petit courant

10fA






UHCU

Plage de tension, résolution et précision

Gamme de tension

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure±(%+mV)

60V

100μV

±(0.2+10)

Plage de courant, résolution et précision

sortie/Résolution de mesure

sortie/Précision de mesure (%+A+A) et

200A

200μA

±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)

600A

500μA

±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)

1800A

2mA

±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)

Pulse * grand rapport cyclique

0,4%(600AGamme de mesure);0,1%(1800AGamme de mesure) et

Impulsion * petite largeur

10μs

Impulsion * grande largeur

1ms(600AGamme de mesure);500μs(1800AGamme de mesure) et

Impulsion * grand pic

200AEt,600AEt,1800AGamme de mesure





MFCMU

fréquence

Gamme de fréquences

1kHz ~ 10MHz

*Petite résolution de fréquence

1 mHz

Précision de fréquence

±0,05%

ACNiveau

Gamme de niveaux

0~250mV

Résolution

0,1 mVrms

précision

±(10%*Valeur de réglage+2mV)

DCBiais

portée

0±25 V

Résolution

1 mV

Précision

1% *Régler la tension+8mV

Impédance de sortie

100Ω

Configuration du côté test

Les quatre paires

Temps de test

rapide2,5 millimètresVitesse moyenne90 msLent220ms

Capacité

Afficher la gamme

0.00001pF~9.99999F

*Haute précision

0,05%





Th521
Série d'Analyseurs de paramètres de semi - conducteurs tableau des options:

TH521-35-20

IV: 3500V/20A

TH521-35-20C

IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg

TH521-35-200

IV: 3500V/200A

TH521-35-200C

IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg

TH521-35-600

IV: 3500V/600A

TH521-35-600C

IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg

TH521-35-1800

IV: 3500V/1800A

TH521-35-1800C

IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg