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Suite 208, bâtiment 5, 88, route de Yibei, district de Songjiang, Shanghai
Shanghai zhangjun Industrial Co., Ltd
Suite 208, bâtiment 5, 88, route de Yibei, district de Songjiang, Shanghai
Analyseur paramétrique de semi - conducteur de même whith521PrésentationPour:
Analyseur paramétrique de semi - conducteur de même whith521Est une solution complète pour la conception de circuits, peut aider est une solution complète pour la conception de circuits qui peut aider les concepteurs de circuits électroniques de puissance à choisir les dispositifs de puissance adaptés à leurs propres applications pour tirer le meilleur parti de leurs produits électroniques de puissance. Il peut évaluer tous les paramètres pertinents du dispositif dans différentes conditions de fonctionnement, y compris les paramètres IV (tension de claquage et résistance à la conduction), la capacité FET à trois extrémités, la charge de grille et les pertes de puissance. Les Analyseurs de paramètres de semi - conducteurs de la série th521 pour la conception de circuits ont une fonction complète de suivi de courbe, ainsi que d'autres fonctions.
La série th521 a une énergie de tension de sortie maximale atteignant ± 3500v une énergie de courant de sortie maximale atteignant ± 1800a, une résolution minimale de mesure de tension de 100nv, une résolution minimale de mesure de courant de 10fa, une tension de polarisation maximale du collecteur de mesure Capacitive atteignant ± 3500v, une fréquence de mesure pouvant atteindre 10mhz.

Caractéristiques de performance
Th521Caractéristiques conventionnelles
· jusqu'à3.5kV/1800ALarge gamme de travail
de-50°Cà+250°CTest thermique rapide entièrement automatique
· matériel technique pour la création automatique de dispositifs de puissance (semi - conducteurs et composants)
· la fonction d'enregistrement automatique empêche la perte de données
·AlÉcriture assistéePythonTester le script
TH521IVCaractéristiques du kit
· peut être entièrement automatique et rapide pour l'encapsulation et les dispositifs sur disqueIVmesure
RonEt,BVLes fuites,VthEt,Vsatattendre) et
· étroiteIVLargeur d'impulsion (la plus étroite 10μs), peut empêcher l'auto - échauffement du dispositif, mesure plus précise
Performance réelle du dispositif d'essai
· la vue d'oscilloscope (vue de Domaine temporel) peut surveiller la tension réelle/Forme d'onde d'impulsion de courant, pour
Mesure précise
*La configuration peut être étendue de manière flexible, ajouterCVetQg, gamme de courant à partir de20AExtensions
à200AEt,600Aou1800A
Th521Caractéristiques complètes du kit
·IVToutes les caractéristiques du kit
· mesure des dispositifs encapsulés dans3,5 kVCapacité d'entrée, de sortie et de transfert inverse du transistor dans le temps
(Ciss)Et,CossEt,CrssEt,CiesEt,CoesEt,Cres), ainsi que la résistance de grille(Rg)
· mesure de la charge de grille du dispositif encapsulé (Qg) La courbe
· calcul des pertes de puissance (pertes par conduction, entraînement et commutation)
Domaines d'application
· dispositifs de puissance à semi - conducteurs
Diodes, Triodes,MOSFETEt,IGBT, Thyristors, circuits intégrés, lumière
Test de capacité parasite des puces électroniques,C-VAnalyse des caractéristiques
· matériaux semi - conducteurs
Découpe de plaquettes,C-VAnalyse des caractéristiques
· matériaux liquides
Analyse de la constante élastique, découpe à cristaux liquides
· composants capacitifs
CondensateursC-VTest et analyse des caractéristiques, test et analyse des capteurs capacitifs
H521Paramètres techniques de l'analyseur de paramètres de semi - conducteur de série:
MCSMU | |||
Plage de tension, résolution et précision | |||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et |
*Grand courant |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A |
40V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
*haute tension |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V |
1 mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V |
10 mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V |
100 mA |
100 nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V |
1A |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V |
Résolution typique |
6½Position |
||
*Haute tension |
±30V |
||
*Petit courant |
10pA |
||
Pulse * grand rapport cyclique |
5%(le pic dépasse100 mALorsque) et |
||
Impulsion * petite largeur |
10μs |
||
Impulsion * grande largeur |
100ms(le pic dépasse100 mALorsque) et |
||
Courant continu * courant élevé |
±100 mA |
||
Impulsion * grand pic |
±1A |
||
Impulsion * grande valeur de base |
±50 mA(le pic dépasse100 mALorsque) et |
||
HCSMU | |||
Plage de tension, résolution et précision | |||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et |
*Grand courant |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A |
40V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
*haute tension |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40V |
1 mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40V |
10 mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40V |
100 mA |
100 nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40V |
1A |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40V |
20A |
20μA |
±(0.4 Le + 2E-3+Vo x 1E-4) |
20 V |
Résolution typique |
6½Position |
||
*Haute tension |
±40V |
||
*Petit courant |
10pA |
||
Pulse * grand rapport cyclique |
1%(le pic dépasse1ALorsque) et |
||
Impulsion * petite largeur |
50μs |
||
Impulsion * grande largeur |
1ms(le pic dépasse1ALorsque) et |
||
Courant continu * courant élevé |
±100 mA |
||
Impulsion * grand pic |
±20A |
||
Impulsion * grande valeur de base |
±100 mA(le pic dépasse1ALorsque) et |
||
MPSMU | |||
Plage de tension, résolution et précision | |||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et |
*Grand courant |
100 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100 mA |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100 mA |
10 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100 mA |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20 mA(≥40V) 50mA(≤40V) |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
*haute tension |
1nA |
1fA |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100 nA |
100fA |
±(0.05 Le + 2E-11 Le + Vo x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1 mA |
1nA |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10 mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100 mA |
100 nA |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20 V |
Résolution typique |
6½Position |
||
*Haute tension |
±100V |
||
*Petit courant |
1fA |
||
HVSMU | |||
Plage de tension, résolution et précision | |||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure±(%+mV) |
*Grand courant |
200V |
200 uV |
±(0,03 + 40) |
10 mA |
500V |
500 uV |
±(0,03 + 100) |
10 mA |
1500V |
1,5 V |
±(0,03 + 300) |
10 mA |
3500V |
3,5 V |
±(0,03 + 600) |
5 mA |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
*haute tension |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10 mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Résolution typique |
6½Position |
||
*Haute tension |
±3500V |
||
*Petit courant |
10fA |
||
UHCU | ||
Plage de tension, résolution et précision | ||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure±(%+mV) |
60V |
100μV |
±(0.2+10) |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Pulse * grand rapport cyclique |
0,4%(600AGamme de mesure);0,1%(1800AGamme de mesure) et |
|
Impulsion * petite largeur |
10μs |
|
Impulsion * grande largeur |
1ms(600AGamme de mesure);500μs(1800AGamme de mesure) et |
|
Impulsion * grand pic |
200AEt,600AEt,1800AGamme de mesure |
|
MFCMU | ||
|
fréquence |
Gamme de fréquences |
1kHz ~ 10MHz |
*Petite résolution de fréquence |
1 mHz |
|
Précision de fréquence |
±0,05% |
|
|
ACNiveau |
Gamme de niveaux |
0~250mV |
Résolution |
0,1 mVrms |
|
précision |
±(10%*Valeur de réglage+2mV) |
|
|
DCBiais |
portée |
0±25 V |
Résolution |
1 mV |
|
Précision |
1% *Régler la tension+8mV |
|
Impédance de sortie |
100Ω |
|
Configuration du côté test |
Les quatre paires |
|
Temps de test |
rapide2,5 millimètresVitesse moyenne90 msLent220ms |
|
Capacité |
Afficher la gamme |
0.00001pF~9.99999F |
*Haute précision |
0,05% |
|
Th521Série d'Analyseurs de paramètres de semi - conducteurs tableau des options:
TH521-35-20 |
IV: 3500V/20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |