Laser à semi - conducteur

NégociableMise à jour sur02/10

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Laser à semi - conducteur utilisant un laser DFB à structure à puits quantique, un refroidisseur à semi - conducteur intégré, un processus d'emballage standard pour réaliser un boîtier de type papillon (Butterfly) tailfill, une structure compacte et une petite taille; Le laser a gagné la confiance des clients avec la puissance stable, la longueur d'onde stable, le rapport signal / prix élevé, et a été largement utilisé dans le domaine de la communication par fibre optique

Détails du produit

Le laser à semi - conducteur utilise une structure à puits quantiquesLaser DFB, refroidisseur à semi - conducteur intégré, processus d'emballage standard pour réaliser un boîtier de type papillon (Butterfly), structure compacte et petite taille; Le laser a gagné la confiance des clients avec une puissance stable, une longueur d'onde stable et un rapport signal / prix élevé, et a été largement utilisé dans le domaine des communications par fibre optique. Les avantages d'une puissance laser élevée et stable et d'une longueur d'onde élevée et stable sous le contrôle de température de haute précision du refroidisseur à semi - conducteur rendent le laser largement utilisé dans le domaine des capteurs à fibre optique.

　　Laser à semi - conducteurConditions de travail limites assignées:

paramètre	Symboles	valeur du paramètre	unité
Diode laser courant direct	Si(LD)	100	mA
Diode laser tension inverse	Vr(LD)	2	V
Détecteur de rétro - éclairage courant de travail	Si(PD)	2	mA
Détecteur de rétro - éclairage Reverse Voltage	Vr(PD)	20	V
Courant de fonctionnement du refroidisseur	ITEC	2.4	Un
Tension de fonctionnement du refroidisseur	VTEC	2.9	V
température de fonctionnement	Topr	- 20 ~ + 70	℃
Température de stockage	Tstg	- 40 ~ + 85	℃
Température / temps de soudure de fil	Tsld	260 / 10	℃/s

Paramètres techniques :

paramètre	Symboles	Conditions d'essai	Min	Type	Max	unité
Puissance de sortie optique	PO	CW	3		10	mW
Courant de seuil	Ith	CW	-	12	18	mA
Courant de travail	Iop	CW, 5mW	-	-	50	mA
Tension de fonctionnement	Vop	CW et 5mW	-	1.5	2.0	V
Efficacité de pente	η	CW et 5mW	0.05	0.1	-	mW / mA
Longueur d'onde de crête	λp	CW, 5mW@25 ℃	λc-1	λc	λc+1	nm
Stabilité de longueur d'onde	λs	CW, 5mW@25 ℃	-0,1 nm		+0.1	en dB
Taux d'inhibition du moule latéral	Le smsr	CW, 5mW	35	-	-	nm
Largeur spectrale (20db)	[inconnu] 965151λ	CW, 5mW	-	0.2		nanomètre/℃
Coefficient de dérive de la longueur d'onde en fonction de la température	Viii 965151; λ / t	Courant de fonctionnement stable		0.1		nanomètre/℃
Coefficient de dérive de la longueur d'onde en fonction du courant	à λ/I	Température de fonctionnement stable		0.01		nanomètre/mA
Thermistance	Rth	Ttherm = 25 ℃	9.5	10	10.5	KΩ

Absorption de gaz tableau de référence:

Composition du gaz	Longueur d'onde d'absorption
O2	761nm et 764nm (VCSEL)
HF	1268,7 nm, 1273 nm et 1278 nm
H2O	1368,59 nm et 1392 nm
NH3	1512 nm
C2H2	1532,68 nm
CO	1567 nm
H2S	1578 nm
le CO2	1580nm, 2,0um
C2H4	1620nm et 1627nm
CH4	1647nm, 1650,9nm, 1653,7nm, 1660nm
HCl	1742 nm

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