Desktop Atomic Layer Deposition System (ALD) est un dispositif de dépôt de couches minces à l'échelle nanométrique basé sur des réactions auto - limitantes de surface, adapté aux laboratoires et aux scénarios industriels à petite échelle, avec des caractéristiques telles que la haute précision, la forte conformabilité et la compatibilité étendue des matériaux.
Caractéristiques structurelles (avantage de type table)
Conception miniaturisée: de taille compacte (généralement un bureau ou une petite armoire verticale), occupant peu d'espace de laboratoire et ne nécessitant pas de nettoyage séparé ou de grandes installations de soutien.
Le volume de la cavité réactionnelle est faible (généralement de quelques millilitres à quelques dizaines de millilitres) et la consommation de précurseurs est faible, ce qui convient à l'étude expérimentale de précurseurs précieux / rares.
Facilité d'utilisation: Équipé d'une interface tactile visuelle, il prend en charge l'édition graphique du programme de dépôt (réglage des paramètres tels que le temps d'impulsion du précurseur, le temps de purge, la température, le nombre de cycles, etc.).
Le chargement de l'échantillon est simple, plus d'une petite table d'échantillon est utilisée (plaquette adaptée, substrat, poudre, micro - Nano - dispositifs et autres formes d'échantillon multiples), certains modèles prennent en charge l'échantillonnage automatique.
Conditions de processus douces: Large plage de température de dépôt (température ambiante à 400 ° C, certains modèles jusqu'à 500 ° c), peut répondre aux besoins réactifs de différents précurseurs, convient aux substrats non résistants aux températures élevées (par exemple, polymères, matériaux flexibles).
La pression de fonctionnement est principalement la pression normale ou le vide faible (10⁻¹ ~ 10⁻³mbar), pas besoin d'unités de vide élevé, réduisant le coût de l'équipement et la difficulté de maintenance.
Capacité de contrôle précise: Équipé d'un régulateur de Débit massique (MFC) de haute précision pour contrôler avec précision le débit d'impulsions de précurseur et de purge de gaz inerte.
L'uniformité de la température de la table d'échantillon est bonne (± 1 ~ ± 3 ℃), assurant l'uniformité de l'épaisseur du film sur la surface du substrat (inhomogénéité < ± 2%).
Scène d'application
Semi - conducteurs et microélectronique: dépôt de couches minces de média à haute grille K (par exemple, al₂o₃, hfo₂), de couches minces d'électrodes métalliques (par exemple, Tin, w) pour la recherche et le développement de micro - transistors, capteurs.
Nouveaux matériaux énergétiques: dépôt de couches minces protectrices (telles que lipon) à la surface des électrodes de batteries au lithium et de revêtements antireflet (tels que sio₂, tio₂) à la surface des cellules photovoltaïques pour améliorer l'efficacité et la stabilité du dispositif.
Revêtement fonctionnel: préparation d'un revêtement anticorrosion, d'un revêtement résistant à l'usure, d'un revêtement hydrophobe / super hydrophile pour la modification de surface d'instruments de précision.
Modification des nanomatériaux: revêtement de surface de nanoparticules, de nanotubes de carbone, de matériaux MOFs, régulation de leurs propriétés optiques, électriques et catalytiques.