Tald effectue une réaction chimique autolimitative à la surface du substrat en introduisant alternativement deux ou plusieurs gaz précurseurs, en déposant couche par couche mince. Chaque cycle complet de dépôt comporte quatre étapes:
Par le premier gaz précurseur: il est soumis à une Adsorption chimique avec la surface du substrat, formant une seule couche d'adsorption.
Purge au gaz inerte: élimine les précurseurs et les sous - produits en excès et évite les réactions en phase gazeuse.
Par le deuxième gaz précurseur: réagit avec le premier précurseur qui a été adsorbé pour produire un film mince de couche monoatomique.
Purge à nouveau par gaz inerte: élimination des précurseurs et des sous - produits n'ayant pas réagi, préparation du cycle suivant.
Le dépôt de couches atomiques thermiques se fait par adsorption chimique et réaction de surface à la surface du substrat en introduisant alternativement deux gaz précurseurs tels que le triméthylaluminium et la vapeur d'eau, formant une couche monoatomique. Les précurseurs qui n'ont pas réagi doivent être nettoyés avec un gaz inerte (comme l'azote) après chaque réaction, assurant l'auto - Limitation du processus de dépôt et évitant les réactions excessives.
Nettoyage de la salle de réaction et prévention de la pollution
Immédiatement après chaque utilisation, vous devez nettoyer la Chambre de réaction, essuyer la paroi interne avec un chiffon sans poussière et un nettoyant spécial, se concentrer sur le nettoyage des buses, des tables de substrat et d'autres sites sensibles à l'entartrage, éviter les résidus de précurseurs ou le dépôt de particules affectant les propriétés du film.
Lors de la désactivation à long terme, il est nécessaire de vider les lignes et de les purger avec un gaz inerte pour empêcher les résidus de corroder les tuyaux.
Focus sur la maintenance
Gestion des précurseurs: les précurseurs sont facilement hydrolysés / oxydés, doivent être stockés hermétiquement, remplacés régulièrement (pour éviter une baisse de pureté);
Nettoyage de la cavité réactionnelle: le précurseur résiduel est susceptible de former des dépôts après le dépôt et doit être nettoyé régulièrement avec un plasma (tel que le plasma o₂) ou un liquide de nettoyage chimique;
Détection de fuite de la ligne: Assurez - vous qu'il n'y a pas de fuite dans la ligne de gaz et évitez le blocage causé par la réaction de mélange du précurseur;
Maintenance du système de vide: changement régulier de l'huile de la pompe à vide, nettoyage de la jauge de vide pour garantir un degré de vide stable.