La technologie de résolution de segments à spectre complet de la structure multicouche du profilomètre d'épaisseur de film est une percée clé dans les domaines actuels de la fabrication de semi - conducteurs, d'écrans et d'optiques. Cette technologie permet une mesure synchrone en temps réel de l'épaisseur du film multicouche et du profil de surface tridimensionnel par interférométrie résolue par spectroscopie d'exposition unique, résolvant le problème difficile de l'efficacité de mesure point par point faible de l'Ellipsométrie traditionnelle et de la difficulté de séparer les signaux réfléchis multicouches par interférométrie à lumière blanche.

Son principe de base consiste à coupler une caméra polarisante pixelisée (PPC) à un spectromètre imageur pour construire un système optique qui peut acquérir quatre ensembles d'interférogrammes déphasés sur une large gamme spectrale en une seule fois. La source utilise une lampe halogène au tungstène de 400 à 800 nm, l'illumination uniforme est obtenue par l'illumination de Kohler, un polariseur linéaire combiné avec une lame achromatique quart d'onde règle l'état de polarisation du faisceau, de sorte que la lumière polarisée circulaire orthogonale réfléchie par l'échantillon et le miroir de référence forme un interférogramme déphasé sur le réseau de micropolariseurs PPC. La liaison de traitement des données, en extrayant la phase spectrale des quatre sous - diagrammes de déphasage par des formules spécifiques, sépare les composantes linéaires et non linéaires, où la phase non linéaire reflète les variations d'épaisseur du film mince et la phase linéaire correspond à la hauteur de surface. En combinaison avec les données de réflectivité absolue de l'étalonnage de la tranche de silicium nue, la fonction objectif est construite pour optimiser l'épaisseur de chaque couche et déterminer le profil de surface en ajustant la phase totale.

En prenant l'exemple d'un film mince à cinq couches (si₃n₄ - sio₂ - sion - sio₂ - si₃n₄), cette technique Mesure 10 fois un écart - type inférieur à 1,6 nm et un écart maximal de 14 nm, ce qui coïncide fortement avec les résultats de l'Ellipsométrie; Surface Step height Refactoring contraste avec le stepper à sonde avec une déviation maximale inférieure à 12 nm. Sa technologie d'épissage latéral basée sur le balayage linéaire permet des mesures de profil d'épaisseur 3D de grande surface et est équipée d'une caméra haute résolution de 500 W pixels avec un capteur de résolution Sub - angström, garantissant une mesure précise des dommages sans contact. Cette technologie a été largement utilisée dans l'inspection en ligne des lignes de production de semi - conducteurs, offrant un support technique solide pour l'assurance de la qualité des matériaux et l'amélioration de l'efficacité de la production.