Microscope d'inspection de disqueL'image de la surface de la plaquette est agrandie par un système de lentilles optiques, projetée sur un oculaire ou un capteur d'imagerie pour observation et analyse. Les microscopes partiels utilisent également différentes méthodes d'éclairage et techniques de contraste, telles que le champ clair, le champ sombre, la différence d'interférence différentielle (DIC), etc., pour améliorer le contraste de l'image et rendre les défauts et les caractéristiques structurelles plus visibles.
Microscope d'inspection de disqueLes applications sont les suivantes:
1, détection des défauts de surface de la plaquette
Détection des résidus redondants: grâce à un grossissement de 50 à 1000x, combiné à un éclairage optique Mix, localisez avec précision les particules de taille nanométrique à la poussière de taille micrométrique et évitez la défaillance des caractéristiques électriques.
Analyse des dommages mécaniques: détecte les rayures d'arc causées par le meulage mécano - chimique (CMP) et évalue l'impact des dommages sur la connectivité du circuit.
Détection des défauts cristallins: utilisez la technologie DIC pour identifier les erreurs de ligne de glissement et de couche empilée et améliorer le bon taux de qualité.
2, contrôle de qualité de processus de lithographie
Détection de précision d'alignement de motif: vérifiez que l'exposition à la photocolle et le modèle de circuit formé par le développement répondent aux exigences de conception et évitent les écarts de largeur de ligne.
Analyse de l'uniformité de la largeur de ligne: mesurer les variations de largeur de ligne et assurer la stabilité du processus avec un équipement CD - SEM (Electron Beam Imaging) ou OCD (Optical Critical Dimensional).
3, essai d'encapsulation et analyse d'échec
Inspection de la qualité des points de soudure: détection de la forme, de la taille et des défauts de soudure en pointillés, de court - circuit, etc., afin de garantir la fiabilité de l'emballage.
Alignement inter - couches et mesure de l'épaisseur: vérifier la précision de la superposition des couches métalliques / diélectriques multicouches, mesurer les variations d'épaisseur inter - couches, respecter les spécifications de conception.
Analyse par microscopie électronique à transmission (TEM): fournit une image en coupe résolue au niveau atomique, combinée à une analyse spectrale de la distribution des éléments pour localiser la source de défaillance.
4, soutien de processus
Détection de semi - conducteurs composés: tels que l'imagerie de défauts de substrat de carbure de silicium (sic), soutenir le canal de détection de Photoluminescence, présenter clairement les défauts de maille.
Observation de la structure 3D: détection de la précision de l'alignement et de la qualité de l'interface des structures empilées en trois dimensions par inclinaison et rotation Multi - angulaires de l'échantillon.