Interrupteur à seuil bidirectionnel (OTS) DispositifsEst l'élément clé de l'évolution de la mémoire d'une architecture bidimensionnelle vers une architecture tridimensionnelle dont la structure de coeur est constituée d'électrodes / films minces sulfurés / électrodes. Parmi eux, le film sulfurique Ge - se est devenu le plus remarqué en raison de ses excellentes caractéristiques de commutation.Système de matériaux otsCependant, la structure de la bande de Valence du système par rapport à la structure atomique dans différents intervalles de composition (en particulier les zones riches en sélénium par rapport aux zones riches en Germanium) n'a pas été entièrement révélée. Pour résoudre ce dilemme, l'équipe du professeur Zhu Min de l'Université Jiao Tong de Shanghai a collaboré avecTechnologie symerfisherCoopération GSK, snan - Sud, en utilisantPlateforme scalab qxi XPSUne étude systématique de la structure électronique et de la distribution du type de liaison du geₓ se₁ (X = 0–100%) a été réalisée sur l'ensemble de la composition. Résultats associés à »Analyse par spectroscopie à rayons X des chalcogénides Ge-Se« publié sous le titre.

L'équipe de recherche a effectué une analyse de reconstitution des niveaux d'énergie du noyau ge 3D et de la structure de la bande de Valence par XPS haute résolution, établissant une association quantitative entre les variations de la teneur en ge, la transition de l'environnement de coordination et la redistribution du type de liaison. Les résultats montrent que le système Ge - se présente trois types de régions structurales dans différents intervalles de composition: les régions riches en sélénium (x < 40%) conservent une structure de coordination ge: se de 4: 2; La région de transition riche en Germanium (X = 40 - 60%) présente une coordination Ge - se 3: 3 en compétition avec la formation de liaisons homopolaires Ge - ge; Les régions dominées par le germanium (X ≥ 70%) présentent alors plus de 72% de liaisons homopolaires Ge - ge.

En outre, la dissociation de la chaîne sélénium et la formation de différents types de liaisons Ge - se et de liaisons Ge - ge homopolaires ont également été trouvées par analyse spectrale de la bande de Valence. Ces résultats établissent des relations composition - structure dans les thiochlorures de ge - se, montrant qu'en contrôlant l'incorporation de ge, il est possible d'optimiser les performances de l'ots grâce à une ingénierie de liaison par défaut.

L'étude a non seulement approfondi la compréhension de la structure électronique des matériaux sulfurés Ge - se, mais a également fourni de nouvelles idées pour la conception de matériaux ots haute performance et le développement de futures technologies de stockage haute densité.

Figure 1. Série ge_xVoir_{1 à x}Evolution du diagramme des niveaux d'énergie du noyau ge3d du film mince en fonction des composants

Figure 2. Analyse de la série ge par spectroscopie de bande de Valence XPS_xVoir_1−xStructure électronique de Valence des films minces

Figure 3 Comparaison du spectre de la bande de Valence XPS pour les échantillons riches en sélénium par rapport aux échantillons riches en Germanium

SymerflySystème escalab qxi XPSA joué un rôle important dans cette recherche, avec sa haute résolution, haute sensibilité capacité de détection qui fournit un support technique fiable pour la résolution de la structure à l'échelle atomique. Ces découvertes approfondissent non seulement notre compréhension de l'évolution de l'architecture électronique du Ge - se, mais fournissent également de nouvelles idées et approches pour la conception de futurs matériaux de mémoire haute performance. Symerfly continuera à fournir aux chercheurs des instruments et des solutions de pointe qui contribuent aux percées constantes de la recherche scientifique.