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Adresse
Salle 304, bâtiment 2, parc technologique et industriel de yiheng Tailai, angle sud - est de la route 3 de Biwon et de la route 9 de Shanglin Yuan, secteur de haute technologie, Xi'an, Province du Shaanxi
Catégories de produits
Technologie Optoélectronique Cie., Ltd de Xi'an Liding
640x512 résolution Indium Gallium Arsenic InGaAs détecteur
NégociableMise à jour sur05/19
- Modèle
- Nature du fabricant
- producteurs
- Catégorie de produit
- Lieu d'origine
Vue d'ensemble
640x512 résolution indium - gallium - arsenic InGaAs détecteur, cette matrice de plan focal InGaAs est la technologie d'imagerie proche infrarouge et de spectroscopie d'imagerie appliquée à 900nm - 1700nm / 1100nm - 1900nm / 1200nm - 2200nm, en particulier la solution d'optimisation dans des conditions non refroidies, la technologie de base de clpt est la réalisation d'Une matrice de plan focal InGaAs de haute qualité, l'emballage clcc facilite également la conception mécanique des vendeurs d'appareils photo numériques CCD et CMOS.
Détails du produit
LD-FPA-640x512 résolution Indium Gallium Arsenic InGaAs détecteur
640x512 résolution Indium Gallium Arsenic InGaAs détecteur
Xi'an Liding optoélectronique Technology Co., Ltd offre de haute qualitéInGaAsDétecteur d'ondes courtes, les produits du détecteur de point - méta au détecteur de matrice faciale, la qualité fiable et le prix raisonnable, sont largement reconnus et appliqués par les clients du monde entier.
InGaAs détecteur de plan focal à ondes courtes produits applications imagerie proche infrarouge et imagerie spectroscopique，Comprend le type non refroidi(sans TEC) et type frigorifique (TEC). Le produit applique un processus stable et mature et a atteint la production de masse. Le produit est choisi dans un boîtier conventionnel, ce qui facilite les équipements mécaniques des intégrateurs de caméras CCD et CMOS; Le TEC intégré améliore encore la sensibilité du détecteur et permet une grande fiabilité grâce à un boîtier métallique fermé.
Modèle du produit
La bande de réponse du détecteur de matrices InGaAs est900-1700nm/2200nm， Actuellement disponible320x256et640x512Array. Ce détecteur matriciel utilise la technologie de reliure de placage pour le rendre étroitement lié au circuit de lecture, tout en adoptantLCCEtKovarEncapsulation étanche à l'air et la surface est recouverte d'un film antireflet. Nous pouvons personnaliser l'emballage de différents produits selon les besoins du client.
modèle |
FPA0640P15F-17-C |
FPA0640P15F-17-T1 / T2 |
FPA0640P15F-1.9-T2 |
FPA0640P15F-2.2-T2 |
FPA-640 × 512-K |
matériaux |
InGaAs |
InGaAs |
InGaAs |
InGaAs |
InGaAs |
Bande de réponse |
0,9um-1,7um 0,6um-1,7um |
0,9um-1,7um |
1,1 à 1,9 um |
1.2um-2.2um |
0,9um-1,7um |
Résolution de l'image |
640×512 |
640×512 |
640×512 |
640×512 |
640×512 |
Taille des pixels |
15um |
15um |
15um |
15um |
25um |
Dimensions de la surface cible |
9,6 mm × 7,68 mm |
9,6 mm × 7,68 mm |
9,6 mm × 7,68 mm |
9,6 mm × 7,68 mm |
16 mm × 12,8 mm |
Encapsulation |
CLCC à 64 broches |
Paquet SDIP 28 broches |
Paquet SDIP 28 broches |
Métal à 28 broches Paquet SDIP |
MDIP à 28 broches |
poids |
1.7g |
19.5g(±0.5) |
19.5g(±0.5) |
19.5g(±0.5) |
24.6g/24.467g |
Taux de pixels effectif |
> 99.5% de |
> 99.5% de |
> 99% |
≥98% de |
> 99% |
Courant sombre |
≤30fA |
≤20fA |
≤100 fA |
≤25fA |
≤0.2pA |
Efficacité quantique |
≥ 70% |
≥ 70% |
≥ 70% |
≥60 |
≥ 70% |
Non - uniformité de la réponse |
≤ 2% de |
≤ 2% |
≤ 4% |
≤ 4% |
≤ 2% |
Non linéaire(déviation maximale) |
≤ 5% de |
≤ 5% |
≤ 10% |
≤ 10% |
≤ 10% |
Le gain |
Haut :46.2uV/e- Faible:1.39uV/e- |
Haut :46.2uV/e- Faible : 1.39uV/e- |
Haut : 46.2 uV/e – Faible: 1.39uV / e- |
Haut :99.9uV/e- Faible : 1.33uV/e- |
Haut :23.6uV/e- Faible : 1.26uV/e- |
Capacité de puits complet |
Haut :0.041Me- Faible :1.38Me- |
Haut :0.041Me- Faible :1.38Me- |
Haut :0.041Me- Faible :1.38Me- |
Haut :0.019Me- Faible :1.440Me- |
Haut :0.118Me- Faible :1.9Me- |
TEC réfrigération |
Non - réfrigération |
Te1 / te2 / non réfrigéré |
TE2 |
TE2 |
TE1/TE2 |
température de fonctionnement |
-40℃—+70℃ |
-40℃—+70℃ |
-40℃—+70℃ |
-40℃—+70℃ |
-20℃—+85℃ |
Température de stockage |
-40℃—+70℃ |
-40℃—+70℃ |
-40℃—+80℃ |
-40℃—+70℃ |
-40℃—+85℃ |
Consommation électrique |
200 MW |
200mw** |
200mw |
200mw |
325mw** |
Note:* * sans réfrigération
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