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Adresse
Ville de Songgang, district de Baoan, Shenzhen, Province du Guangdong
Catégories de produits
Shenzhen Zetuo Biotechnology Co., Ltd
Ossila matériel TFB cas: 220797 - 16 - 0
NégociableMise à jour sur05/06
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Vue d'ensemble
Ossila usine commande, *, délai de livraison à temps, nouveaux et anciens clients sont les bienvenus! Plus de modèles de produits, s'il vous plaît nous vendre!! $R $nossila matériel TFB cas: 220797 - 16 - 0
Détails du produit
Uniquement pour les études expérimentales sur les animaux, etc.
Informations générales
| Numéro CAS | 220797 - 16 - 0 |
| Formule chimique | (C)51H61N)n |
| Poids moléculaire | Mn = 17,468, Mw = 31,206 KDa (PD = 1.79) |
| Absorption | λmax390 nm (en THF) |
| Fluorescence | λem295 nm, 435 nm (en THF) |
| Accueil / equipements | Homo = 5,3 ev, solution = 2,3 EV |
| Solvants | THF, toluène et chloroforme |
| Synonymes | Poly(9,9-dioctylfluorène-alt-N-(4-sec-butylphényl)-diphénylamine) |
| Classification / Famille | Matériel de transport de trous (HTL), Matériel d'injection de trous (HIL), Matériel de blocage d'électrons (EBL), OLED, Cellules solaires en perovskite, Électronique organique et imprimée |
Détails du produit
| Pureté | > 99% |
| Point de fusion | n.a. |
| Couleur | Poudre/fibres jaune pâle |
Structure chimique
Structure chimique de la poly(9,9-dioctylfluorène-alt-N-(4-sec-butylphényl)-diphénylamine) (TFB); CAS No. 220797-16-0; Formule chimique (C)51H61N)n.
Applications
La poly(9,9-dioctylfluorène-alt-N-(4-sec-butylphényl)-diphénylamine) (TFB) est un semi-conducteur à base de triarylamine avec un écart de bande de 3 eV (niveaux HOMO et LUMO de 5,3 et 2,3 eV respectivement) et une mobilité de trou relativement élevée de 2 x 10.-3en cm2V-1s-1.
En raison de son faible potentiel d'ionisation et de sa grande mobilité des trous, le TFB sert principalement de matériau de couche de transport de trous (HTL), de couche d'injection de trous (HIL) et de couche de blocage d'électrons (EBL) dans les dispositifs électroniques organiques. Lorsqu'il est intégré dans le dispositif en tant que matériau d'interface, TFB en tant que couche de blocage d'électrons réduira non seulement la possibilité de fuite d'électrons, mais réduira également la possibilité d'extinction d'exciton entre l'interface de la couche active et la couche de transport de charge (F8BT / MoO).xpar exemple).
Ossila matériel TFB cas: 220797 - 16 - 0
| Structure du dispositif | ITO (120 nm)/PDOT: PSS (50 nm)/Batterie à film mince(5 nm)/PYGTPA* (75 nm)/PEGPF* (10 nm)/Ca (10 nm)/Al (100 nm) [1] |
| Couleur | Bleu profond
|
| Luminance maximale | 9 242 cd/m2 |
| Efficacité courante max. | 0,85 cd/A |
| Biais | 4.3 V |
Ossila matériel TFB cas: 220797 - 16 - 0
| Device structure | OIT/c-ZnO (50 nm) / F8BT (80 nm) / MoO3(10 nm)/Au (50 nm) [2] |
OIT/c-ZnO (50 nm)/F8BT (80 nm)/Batterie à film mince(60 nm) / MoO3 (10 nm)/Au (50 nm) [2] |
| Couleur | Vert
|
Vert
|
| Luminance maximale | 9 370 cd/m2 | 16,460 cd/m2 |
| Efficacité courante max. | 0,34 cd/A | 0,93 cd/A |
| Biais | ~ 0.60 V | ~ 0.87 V |
| Device structure | ITO/ZnO/CsPbI3/Batterie à film mince(60 nm) / MoO3(5 nm)/Ag (80 nm) [3] |
| Colour | rouge
|
| Luminance maximale | 206 cd/m2 |
| Max. EQE | 5,7% |
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