Royaume - Uni ossila Wafer s403 ofet test Wafer s411

Uniquement pour les études expérimentales sur les animaux, etc.

Spécifications

Royaume - Uni ossila Wafer s403 ofet test Wafer s411

Applications

Ossila High Density Substrates dispose de 20 OFET qui peuvent profiter à votre recherche de plusieurs façons. Premièrement, le coût de production est réduit en raison d'un volume plus élevé d'OFET par substrat par rapport aux équivalents à faible densité. Cela peut vous aider à étendre votre budget pour vous permettre de produire et de tester un plus grand nombre d'OFET.

Deuxièmement, la production d'OFET est un processus beaucoup plus rapide et moins laborieux. Le temps de fabrication est réduit jusqu'à 50 % en utilisant des OFET préfabriqués à haute densité, ce qui libère plus de temps pour tester les dispositifs. Cela permet de produire de plus grands volumes de statistiques qui peuvent à leur tour fournir des recherches plus solides et fiables.

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En outre, la variabilité OFET est réduite puisqu'un plus grand nombre d'OFET sont produits avec chaque fabrication. Chez Ossila, nous avons optimisé le processus de fabrication afin de produire des substrats de qualité constante. À cet égard, l’utilisation de nos substrats préfabriqués plutôt que la fabrication de vos propres substrats peut vous aider à recueillir des données plus fiables au profit de votre projet de recherche.

Les substrats préfabriqués à haute densité sont idéaux pour les tests de mobilité car ils permettent des tests rapides et efficaces de grands volumes d'OFET. La carte d'essai OFET haute densité Ossila a été conçue à cet effet.

Au lieu d'utiliser une station de sonde mécanique pour tester les OFET, ce qui est un processus délicat et fastidieux, la carte d'essai à haute densité permet de tester plusieurs OFET à la fois; il suffit de laisser tomber le substrat dans la fente d'essai, de fixer le couvercle push-fit et de connecter la carte via ses connecteurs BNC à une gamme d'équipements d'essai.

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La carte a été conçue de manière intelligente pour réduire le bruit externe, le courant de fuite et la capacité errante afin de fournir des tests fiables et précis à faible courant.

Ossila High Density OFET Test Board, conçu pour des tests rapides et fiables de multiples OFET.

Spécifications

Nous fabriquons des substrats en silicium dopé en p avec une couche supérieure isolante d'oxyde de silicium de 300 nm. Le platine est déposé sur le dessus pour produire des électrodes de grille qui recouvrent également le bord conducteur du substrat. Il est donc essentiel que le bord du substrat soit conducteur et non recouvert de la couche d'oxyde de silicium. Sinon, l'oxyde de silicium doit être rayé sur les côtés des substrats avant qu'il puisse être utilisé.

Structure de nos substrats préfabriqués de silicium/oxyde de silicium.

Chez Ossila, nous avons optimisé le processus de fabrication pour garantir que les bords soient conducteurs et que le substrat soit immédiatement prêt à l'utilisation.

Nous fabriquons nos substrats à haute densité avec 5 nm de titane et 100 nm de platine.

Pour les détails individuels et les dessins dimensionnels de chaque type de substrat, voir ci-dessous.

Substrat linéaire de longueur de canal variable de 1 mm x 2 µm (S403)

Dessin dimensionnel de substrat de 1 mm x 2 µm.

Substrat interchiffré de longueur de canal constante de 22,6 mm x 5 µm (S411)

Dessin dimensionnel de l'un des dispositifs de 22,6 mm x 5 µm sur le substrat à haute densité.