Module redondant Phoenix 2320186 égalisation automatique du courant

Pour les semi - conducteurs incorporés dans les impuretés donneuses, les porteurs conducteurs sont principalement des électrons dans la bande de conduction, conductrice de type électron, appelée semi - conducteur de type N (Figure 3). Le semi - conducteur incorporé dans l'impureté principale est du type conducteur à trou, appelé semi - conducteur de type p. Les semi - conducteurs peuvent produire des paires électron - trou à n'importe quelle température, de sorte qu'il peut y avoir un petit nombre de trous conducteurs dans les semi - conducteurs de type N et un petit nombre d'électrons conducteurs dans les semi - conducteurs de type P, ils sont tous appelés porteurs minoritaires. Parmi les différents effets des dispositifs semi - conducteurs, les porteurs minoritaires jouent souvent un rôle important.

Lorsqu'un semi - conducteur de type P est en contact mutuel avec un semi - conducteur de type N, sa zone de jonction est appelée jonction PN. Les trous libres dans la zone P et les électrons libres dans la zone N sont destinés à diffuser vers les régions de l'autre, provoquant une accumulation de charges positives et négatives de part et d'autre de la jonction PN, formant une couche de dipôle électrique (Figure 4). La direction du champ électrique dans la couche de dipôle électrique empêche exactement le déroulement de la diffusion. Lorsque l'action de diffusion due à une densité inégale de porteurs atteint l'équilibre avec l'action du champ électrique dans la couche galvanique, une certaine différence de potentiel, appelée différence de potentiel de contact, se forme entre les zones P et n. Comme les trous de la zone P diffusent vers la zone n après recombinaison avec les électrons de la zone N, et que les électrons de la zone n diffusent vers la zone P après recombinaison avec les trous de la zone P, ce qui réduit le nombre de porteurs libres dans la couche de dipôle électrique pour former une couche hautement résistive, la couche de dipôle électrique est également appelée couche barrière, la valeur de résistance de la couche barrière ayant tendance à être plusieurs dizaines voire plusieurs centaines de fois supérieure à la valeur de résistance originale du semi - conducteur composant la jonction PN.

La jonction PN est mono - conductrice et le redresseur semi - conducteur est réalisé en utilisant cette caractéristique de la jonction PN. Une autre propriété importante de la jonction PN est qu'elle peut générer une Force électromotrice après avoir été exposée à la lumière, appelée effet photovoltaïque, qui peut être utilisé avantageusement pour fabriquer des cellules optiques. Les dispositifs semi - conducteurs tels que les Triodes semi - conductrices, le silicium contrôlable, les dispositifs photosensibles à jonction PN et les diodes électroluminescentes utilisent tous les caractéristiques de la jonction PN.

Conductivité unidirectionnelle de la jonction PN

P se termine par le pôle positif de l'alimentation et n se termine par le pôle négatif de l'alimentation appelée polarisation positive de jonction PN. À ce stade, la jonction PN se ferme comme un interrupteur et présente une faible résistance, appelée état passant.

P termine le pôle négatif de l'alimentation et n termine le pôle positif de l'alimentation est appelé inverseur de jonction PN, à ce moment la jonction PN est à l'état bloqué comme si l'interrupteur était ouvert. La résistance de jonction est grande, lorsque la tension inverse augmente dans une certaine mesure, la jonction PN se produit et est endommagée.