Capteur optoélectronique st276

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Vue d'ensemble

St276 I, caractéristiques: ● composé d'une photodiode infrarouge haute puissance d'émission et d'un double Phototransistor haute sensibilité

Détails du produit

ST276

I. caractéristiques:
● adopte une photodiode infrarouge à haute puissance d'émission et
Composition à double Phototransistor haute sensibilité.
● distance de mise au point de détection: 4 - 10mm.

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II. Paramètres limites:(Ta = 25 °C)

Projets		Symboles	Valeur numérique	Unités
Entrée	Courant direct	JeF	50	mA
	Tension inverse	Vr	6	V
	Puissance dissipée	P	75	mW
Sortie	Set - radiotension	Directeur général	25	V
	Tir - tension collectrice	Le vieux	6	V
	Consommation électrique du collecteur	PC	50	mW
Température de fonctionnement		Topr	- 20 à + 65	℃
Température de stockage		Tstg	- 30 à + 75	℃

Iii. Caractéristiques photoélectriques:(Ta = 25 °C)

Projets		Symboles	Conditions d'essai		Le minimum	Typique	Max	Unités
Entrée	Chute de pression avant	VF1dans VF2	JeF= 20 mA		-	1.25	1.5	V
Entrée	Courant inverse	JeR	VR= 3 V		-	-	10	μA
Sortie	Collecteur Dark Current	Iceo	Vce = 20V		-	-	1	μA
	Collecteur courant lumineux	JeL	Vce = 15V JeF= 8mA	L3	0.30	-	-	mA
				L4	0.40	-	-	mA
				L5	0.50	-	-	mA
	Chute de pression saturée	Vce	JeF= 8 mA, Ic = 0,15 mA		-	-	0.4	V
Transmission Caractéristiques	Temps de réponse	Tr	JeF= 20mA, Vce = 5V Rc = 100 Ω		-	10	-	μs
Transmission Caractéristiques	Temps de réponse	Tf	JeF= 20mA, Vce = 5V Rc = 100 Ω		-	10	-	μs

Iv. Diagramme de dimension extérieure:

Téléphone: 0599 - 8625261 8638090 8638091

Courriel :

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