SEMIKRON pièces de rechange skkt 570 / 16e

SEMIKRON pièces de rechange skkt 570 / 16e

SEMIKRON pièces de rechange skkt 570 / 16e

ÉlectroniqueE62.S23-204M30

SOLARTRONDP 5 P 971135-3

MICRO-EPSILONDS05(15)Capteur de vitesse de rotation

PROTEUS INDUSTRIES INC (en anglais seulement)9WSPKV50G-1-003

Robert Stahl SchmidtBD 4R9S/16

MICRO-EPSILONWDS-2500-Z100-CA-PCapteurs de position

SOLARTRON911173-3 AC PSIM

SEMIKRONSKKT 570/16ESilicone contrôlable

SOLARTRON911174-3 RS232IMMK2

EBRO ARMATURENE110

HYDROTECHNIQUE33vh-73-35.v012 remplacement

REXROTH4WE6J62/EG24N9K4

SOLARTRONAX 1.0 SH T

REXROTHDBDS6K1X 315

BK MiccoTK-BKM-8A-21.015393Moteur d'inspection de couteau

EUROTHERMEPOWER / 3PH-500A / 600V / 230V / XXX / XXX / XXX / OO / XX / XX / XX / XX / XXX / XXX / XXX / QS / FRA / 500A / 440V / 3P / 3D / XX

MOTRONAFU210Convertisseur de signaux

CARROLL et MEYNELLMVT9.9K / 12A-3E

Préélectronique4114

ROTORUD 1205/1434740-013-7

Préélectronique4501

Réo_RROVIBID 615830

Programme101 - 800110

EBRO ARMATURENE65

Milton RoyGA120S6N3V + moteur LS56M / T

GAI-TRONICS701 à 307

GAI-TRONICS13302 - 002

GAI-TRONICS12504 - 004

ZENTRO-ELEKTRTK8899-2BE 98228899-102

ROEHM42175

ROEMHELDY1895-203-LM-90

KROHNELe K800/R

KROHNEKQ-1407-ZY1063 0-14PH, 0-70 ℃ 4-20MA

ING.FRANZ KROMEKE21025

KROMSCHRODERIfw 15 - t 84359010 sans transformateur

ING.FRANZ KROMEKE210 à 25

Fibre2961.70.050.200Plaque de guidage

KROMSCHRODERTC 410-10T

Encodeur rotatifOVW2-2048-2MD

PULSOTRONIQUE622330 kj2 - m12mb65 - DPS - V2 remplacement

FibreEM.18.0750.9.132.02.0.0.0

HYDROTECHNIQUE3948 - 04 - 01.00

HEITRONIQUEKT19.43

REXROTHR910985329

POLYTRON8344200

PROTON-ELECTROTEXD161 - 250 - 10 (seulement 10 peuvent être achetés)

GAI-TRONICS13314 - 002

KROMSCHRODERVGBF 50F40-3Z

ROQUET1PLH225-35DE10B

KROMSCHRODERVGBF 80F40-3Z

MICRO-EPSILONTIM160

STARS ELEKTRONIKTVL-1 A230G 04/01

AVS-ROMER617112 EGV-1027/V2-AH9-1/2CG-024

ROLANDS0047000 E20-4P-PR-S

ROSE+KRIEGERFNA5023TA0145

MICRO-EPSILONILD1900

AVS-ROMER613558 EGV - 111 - a 78 - 1 Cg - 00

ELSTER-INSTROMETRB-TI

MICRO-EPSILONILD1900LL

BK MiccoBKM91PB-21

Briefing de travail pour les électeursLe KSL250-2

ELETTROTECNTB80CC 710-370-01300

ELTROTECCLS-K-63

ROLANDP42AGS

DROPSA3405413

ROSSIMR V 125 UO2A

ROEMHELD3829 à 234

POLYTRON5720 / 8344200 / 8344200

ROEHM898695

ROEHM462405

FRONIUSUn étranger - Lang Juan Juan 0360054 2021 - 08 - 11 05: 05: 44

EUROTHERM6180 A

CroisetteU83161.8 SP 41910 40\\1A\\AC125V

PROMINENTS3BAH040830PVTS170R000

EUROTHERMEPOWER / 1PH-100A / 600VRégulateur de puissance

STROAMG227-92363 NFF 100

REXROTH3842532009

ROLANDPW42AGS

PROFITSPT-01.3.1.1.99.0.80

AROdu F512LM

PROMINENT142069

ROTECHdu CR3AAZ0Interrupteur de limite

CARANE ENVIRONNEMENTALDELTA-5SWDP

PR ÉlectroniqueTP. TI-SU1-RIW

RothenbergerRP50-S

MICRO-EPSILONTIM160S

PAR-GROUP6507-25ID

PAR-GROUP6507 - 44id multiple entier de 15 mètres

ROLAND239504

ROHM60906Fixations pour pièces

OMRONG6D-F4B DC24V

PROCEMEX530

PROCEMEXP0527

PROCEMEX999

EUROFLUIDEVM103AX3F

AG.140-00706 92 NE - 390 FVCommutateur à came

HYDROPADS-302-55

Ecône133-5-72 DN25 PN16/5

ROLANDIE20-30GS

ELTROTECCLS-K-63

ROLANDIS20-30GS

UNITROME16-P LOGIC I/R2 220/220VDC (100278)Relais de signal

À partir deP32.8150 PA6GF30

À partir deP32.0213 ECI 42.40 18VDC

À partir de477136 V665212

À partir deN51.1127 F-NR.2256516

ROLANDSCI20S-GG

PROMINENTGMXA1602NPT20000UA10300FR

ROLANDI20-2-PN-S

PROFIROLL41412722000Rouleau de support

PROFIROLL41417742000Axe de support

MEGATRONKT701K 500N 2410Z

PROFIROLL41425740200Rouleau de support

POWERTRONIQUE11PM04100100 P688W

Les personnages principauxS302236 11 URD 273 TTF 1800 remplacement (n300737 discontinué)

PAR-GROUP6507-25ID

PROMINENTGAMMA_XL GXLAEU0450PVT20000UA1000FR 替代

PAR-GROUP6507-44ID

KROHNEDK800 / R / K1

MICRO-EPSILONILD1320-200

MicrodétecteursSSC/0P-0EInterrupteurs optoélectroniques

ROEMHELD18951330M90

HYDROTECHNIQUE3403-53-G3.46Capteur de pression

ROEMHELD1895433VDH35

PULSOTRONIQUE622330 kj2 - m12mb65 - DPS - V2 remplacement

HYDROTECHNIQUEHtf / 2701 - 30 - 76,5

ROEMHELD1895333VDH35

JAY ELECTRONIQUE401RSEF41000 RSEF41-0

KROHNEDK800 / R / K1

ROSSIVER GEARMOTOR CAT. A MR V 125 UO2A- 28X250- 32 POSITION DE MONTAGE B3 SANS MOTORRéducteur

GROSCHOPPWK1153302

SCHROEDERK10

ELERO761906301 ÉCONOMIE 1

SOLARTRONGroupe de travail/10/SJcapteur

ÉlectroniqueE62.R16-333L30Capacité

ROHM577 249 + 771 705

PROFIROLL41412722000Rouleau de support

PROCEMEX530

PROFIROLL41417742000Axe de support

ELERO761850501 ÉCONOMIE 01

ROEMHELD1942010

REXROTHR930003503

ÉlectroniqueE62.G10-202B20 2F/4000V

ÉlectroniqueE62.H15-402B20 4F/4000V

EROGLU406.02.13.100.ERP

EROGLU406.02.13.70.ERP

EROGLU406.02.20.70.ERP

EROGLU406.20.45.IK

PROFIROLL41425740200Rouleau de support

ÉlectroniqueE50.N15-304N61Capacité

ÉlectroniqueE50.N15-304N61Capacité

AUTOROTORT55-09-270

ÉlectroniqueE50.N15-304N61Capacité

ÉlectroniqueE50.N15-304N61Capacité

HYDRO-AIR110 102Changement rapide de joints

AG.155-00001 0,23_GHE_553_DFV50Interrupteur de limite

HYDRO-AIR120 102Changement rapide de joints

MICRO-EPSILONDS-1

HYDRO-AIR110 104Changement rapide de joints

MICRO-EPSILONle DZ-140

HYDRO-AIR120 104Changement rapide de joints

HYDRO-AIR110 103 - 39 D 1420/3 G1/2 » – OR SONDERFARBEChangement rapide de joints

HYDRO-AIR120 103Changement rapide de joints

HYDRO-AIRGE-S10/G3/8Changement rapide de joints

HYDRO-AIRG1/2 110103Changement rapide de joints

OMRONG9SA-501 AC/DC24

HYDROPADS-302-55

OMRONE3Z-D87 par OMC

SOLARTRON9740005-3 DJ10P

OMRONE3Z-T86 par OMC

OMRONE2B-M18KN16-M1-B1 OMS

OMRONR88D-KT75F

Croisette83169406 (CD7, Kabel 0,5m LINKS) Attention quantité

PROTEUS08012BN16 0–10 VDC 4–20 MA

PR Électronique5335D

AG.51-323BM5Z-299G N° 152567 1:336

AG.151-05160 51_6.5_NM1Z_899

OMRONR88D-KT75F-Z

OMRONE2B-M12KS04-M1-B1

OMRONR88D-KT75F

AVTRONALV8L1G6P000S

ARCOTRONICSC878bf35150aa0j quantité de commande 434 PCS

SOLARTRONAX/2.5/S

CAPTRONCAT-200-21G5/VA-214

COMATROLCP200-3-B-0-E-C-XXX

PR ÉlectroniqueTP. TI-SU1-RIW

AUTOROTORT55-09-270

AUTOROTORT55-09-270 41997

JWFROEHLICH458511

AG.151-05095 51_75_BMK_499P

ÉlectroniqueE33.d93-501615 220001 remplacement

SEMIKRON pièces de rechange skkt 570 / 16e

SEMIKRON pièces de rechange skkt 570 / 16e

La méthode de discrimination des trois pôles de silicium contrôlable est simple, selon le principe de la jonction P - N, il suffit de mesurer la valeur de la résistance entre les trois pôles avec un multimètre.

Les résistances avant et arrière entre l'anode et la cathode sont supérieures à quelques centaines de kiloohms, et les résistances avant et arrière entre l'anode et le pôle de commande sont supérieures à quelques centaines de kiloohms (il y a deux jonctions P - N entre elles, et le sens est inversé, de sorte que ni l'anode ni le pôle de commande ne peuvent être inversés positivement) [1].

Entre le pôle de commande et la cathode se trouve une jonction P - N, de sorte que sa résistance en direct est de l'ordre de quelques ohms - quelques centaines d'ohms, la résistance en inverse étant plus importante que la résistance en direct. Mais les caractéristiques de la diode de commande ne sont pas très idéales, l'inverse n'est pas dans l'état bloqué, il peut y avoir un courant relativement important à travers, de sorte que parfois, la résistance inverse du pôle de commande est mesurée relativement petite, ne peut pas dire que les caractéristiques du pôle de commande ne sont pas bonnes. En outre, lors de la mesure de la résistance inverse positive du pôle de commande, le multimètre doit être placé sur la barrière R * 10 ou r * 1, empêchant le claquage inverse du pôle de commande de tension trop élevée.

Si l'anode positive de l'élément est en court - circuit, ou si l'anode est en court - circuit avec le pôle de commande, ou si le pôle de commande est en court - circuit inverse avec la cathode, ou si le pôle de commande est en court - circuit avec la cathode, l'élément est endommagé.

Le silicium contrôlable, abréviation de silicone Redressing element, est un dispositif semi - conducteur de haute puissance avec une structure à quatre couches à trois jonctions PN. En effet, la fonction du silicium commandable n'est pas seulement de redresser, il peut également être utilisé comme un interrupteur sans contact pour allumer ou couper rapidement un circuit électrique, réaliser une inversion qui transforme le courant continu en courant alternatif, transformer le courant alternatif d'une fréquence en courant alternatif d'une autre fréquence, etc. Le silicium contrôlable, comme d'autres dispositifs semi - conducteurs, présente les avantages d'une petite taille, d'une efficacité élevée, d'une bonne stabilité et d'un fonctionnement fiable. Son émergence a permis à la technologie des semi - conducteurs de passer du domaine de l'électricité faible au domaine de l'électricité forte, en tant qu'élément de l'industrie, de l'agriculture, du transport, de la recherche militaire et des appareils commerciaux et civils.

Principaux fabricants

Podcast

Éditer

Marque principale de fabricant: ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL Attendez.

Termes

Podcast

Éditer

It (av) - courant moyen à l'état passant

Vrrm - - tension de crête de répétition inverse IDRM - - courant de crête de répétition de défaut

ITSM - - courant de surtension non répété pour une onde hebdomadaire

Vtm - - tension de crête passante

IGT - - courant de déclenchement de la porte

Vgt - - tension de déclenchement de la porte

IH - - maintien du courant

DV / DT - - taux de montée critique de la tension de coupure

Di / DT - - taux de montée critique du courant traversant

Rthjc - - résistance thermique croûte

Ⅵ so - - tension d'isolation du module

Tjm - - température de jonction nominale

Vdrm - - tension de crête répétée à l'état cassé

Irrm - - courant de crête de répétition inverse

If (av) – courant moyen en direct

PGM - - puissance de crête de la porte

Pg - - - puissance moyenne de la porte

Lecture prolongée

Podcast

Éditer

1, niveau de bruit sur la grille

Dans un environnement avec du bruit électrique, la conduction est également déclenchée si la tension de bruit sur la gâchette dépasse vgt et qu'il y a suffisamment de courant de gâchette pour exciter une rétroaction positive à l'intérieur du silicium commandable (thyristor).

Lorsque vous appliquez l'installation, vous devez d'abord rendre la connexion à l'extérieur de la grille aussi courte que possible. Lorsque la ligne ne peut pas être courte, des fils torsadés ou blindés sont disponibles pour réduire l'intrusion d'interférence. Une résistance de 1 kΩ est alors ajoutée entre G et mt1 pour réduire sa sensibilité, et une capacité de 100 NF peut également être mise en parallèle pour filtrer le bruit haute fréquence.

2, sur le taux de changement de tension de conversion

Lorsque vous conduisez une grande charge inductive, il y a un grand déphasage entre la tension de charge et le courant. Lorsque le courant de charge passe par zéro, le silicium bidirectionnel (thyristor) commence à commuter, mais la tension ne sera pas nulle en raison de la relation de déphasage. Il est donc demandé au silicium commandable (thyristor) de bloquer rapidement cette tension. Si, à ce moment - là, la variation de la tension de commutation dépasse la valeur admissible, il n'y a pas assez de temps pour que les charges entre les jonctions soient libérées et que le silicium bidirectionnel (thyristor) soit forcé de revenir à l'état passant.

Pour remédier aux problèmes mentionnés ci - dessus, il est possible d'ajouter un réseau RC entre les bornes mt1 et mt2 pour limiter les variations de tension afin d'éviter les faux déclenchements. En général, la résistance prend 100r et la capacité prend 100nf. Il est à noter que cette résistance ne peut pas être épargnée.

3, sur le taux de changement de courant de conversion

Lorsque le courant de charge augmente, l'augmentation de la fréquence d'alimentation ou lorsque l'alimentation est une onde non sinusoïdale, le taux de variation du courant de conversion devient élevé, ce qui se produit le plus facilement dans le cas d'une charge sensible et peut facilement entraîner des dommages au dispositif. Il est alors possible de mettre en série dans la boucle de charge une inductance d'air de quelques millihens.

4, sur le taux de variation de tension ouvert de silicium commandable (thyristor) DVD / DT

Lorsque l'on ajoute aux bornes du silicium bidirectionnel (thyristor) à l'état bloqué une tension variable à grande vitesse inférieure à celle du vdfm, le courant de la capacité interne produit un courant de gâchette suffisant pour rendre le silicium (thyristor) conducteur. Ceci est particulièrement grave à haute température, où un circuit tampon RC peut être ajouté entre mt1 et mt2 pour limiter VD / DT, ou un silicium commandable à grande vitesse (Thyristors) peut être utilisé.

5, au sujet de la tension de crête continue ouverte vdrm

En cas d'alimentation anormale, la tension aux bornes du silicium commandable (thyristor) peut dépasser la valeur maximale de la tension crête continue vdrm, lorsque le courant de fuite du silicium commandable (thyristor) augmente et claque la conduction. Si la charge peut permettre un courant de surtension important, la densité de courant locale sur la tranche de silicium est élevée, ce qui rend cette petite partie conductrice. Provoque la puce à brûler ou à endommager. En outre, les lampes à incandescence, les charges capacitives ou les circuits de protection contre les courts - circuits génèrent des courants de surtension plus élevés, lorsque des filtres et des circuits de pincement peuvent être appliqués pour empêcher la tension de pointe (bavure) d'être appliquée au silicium bidirectionnel (thyristor) [2].

La méthode de discrimination des trois pôles de silicium contrôlable est simple, selon le principe de la jonction P - N, il suffit de mesurer la valeur de la résistance entre les trois pôles avec un multimètre.

Les résistances avant et arrière entre l'anode et la cathode sont supérieures à quelques centaines de kiloohms, et les résistances avant et arrière entre l'anode et le pôle de commande sont supérieures à quelques centaines de kiloohms (il y a deux jonctions P - N entre elles, et le sens est inversé, de sorte que ni l'anode ni le pôle de commande ne peuvent être inversés positivement) [1].

Entre le pôle de commande et la cathode se trouve une jonction P - N, de sorte que sa résistance en direct est de l'ordre de quelques ohms - quelques centaines d'ohms, la résistance en inverse étant plus importante que la résistance en direct. Mais les caractéristiques de la diode de contrôle ne sont pas très idéales, l'inverse n'est pas un état bloqué, il peut y avoir un courant relativement important à travers, de sorte que parfois, la résistance inverse du pôle de contrôle est mesurée relativement petite, ne dit pas que les caractéristiques du pôle de contrôle ne sont pas bonnes. En outre, lors de la mesure de la résistance inverse positive du pôle de commande, le multimètre doit être placé sur la barrière R * 10 ou r * 1, empêchant le claquage inverse du pôle de commande de tension trop élevée.

Si l'anode positive de l'élément est en court - circuit, ou si l'anode est en court - circuit avec le pôle de commande, ou si le pôle de commande est en court - circuit inverse avec la cathode, ou si le pôle de commande est en court - circuit avec la cathode, l'élément est endommagé.

Le silicium contrôlable, abréviation de silicone Redressing element, est un dispositif semi - conducteur de haute puissance avec une structure à quatre couches à trois jonctions PN. En effet, la fonction du silicium commandable n'est pas seulement de redresser, il peut également être utilisé comme un interrupteur sans contact pour allumer ou couper rapidement un circuit électrique, réaliser une inversion qui transforme le courant continu en courant alternatif, transformer le courant alternatif d'une fréquence en courant alternatif d'une autre fréquence, etc. Le silicium contrôlable, comme d'autres dispositifs semi - conducteurs, présente les avantages d'une petite taille, d'une efficacité élevée, d'une bonne stabilité et d'un fonctionnement fiable. Son émergence a permis à la technologie des semi - conducteurs de passer du domaine de l'électricité faible au domaine de l'électricité forte, en tant qu'élément de l'industrie, de l'agriculture, du transport, de la recherche militaire et des appareils commerciaux et civils.

Principaux fabricants

Podcast

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Marque principale de fabricant: ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL Attendez.

Termes

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It (av) - courant moyen à l'état passant

Vrrm - - tension de crête de répétition inverse IDRM - - courant de crête de répétition de défaut

ITSM - - courant de surtension non répété pour une onde hebdomadaire

Vtm - - tension de crête passante

IGT - - courant de déclenchement de la porte

Vgt - - tension de déclenchement de la porte

IH - - maintien du courant

DV / DT - - taux de montée critique de la tension de coupure

Di / DT - - taux de montée critique du courant traversant

Rthjc - - résistance thermique croûte

Ⅵ so - - tension d'isolation du module

Tjm - - température de jonction nominale

Vdrm - - tension de crête répétée à l'état cassé

Irrm - - courant de crête de répétition inverse

If (av) – courant moyen en direct

PGM - - puissance de crête de la porte

Pg - - - puissance moyenne de la porte

Lecture prolongée

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1, niveau de bruit sur la grille

Dans un environnement avec du bruit électrique, la conduction est également déclenchée si la tension de bruit sur la gâchette dépasse vgt et qu'il y a suffisamment de courant de gâchette pour exciter une rétroaction positive à l'intérieur du silicium commandable (thyristor).

Lorsque vous appliquez l'installation, vous devez d'abord rendre la connexion à l'extérieur de la grille aussi courte que possible. Lorsque la ligne ne peut pas être courte, des fils torsadés ou blindés sont disponibles pour réduire l'intrusion d'interférence. Une résistance de 1 kΩ est alors ajoutée entre G et mt1 pour réduire sa sensibilité, et une capacité de 100 NF peut également être mise en parallèle pour filtrer le bruit haute fréquence.

2, sur le taux de changement de tension de conversion

Lorsque vous conduisez une grande charge inductive, il y a un grand déphasage entre la tension de charge et le courant. Lorsque le courant de charge passe par zéro, le silicium bidirectionnel (thyristor) commence à commuter, mais la tension ne sera pas nulle en raison de la relation de déphasage. Il est donc demandé au silicium commandable (thyristor) de bloquer rapidement cette tension. Si, à ce moment - là, la variation de la tension de commutation dépasse la valeur admissible, il n'y a pas assez de temps pour que les charges entre les jonctions soient libérées et que le silicium bidirectionnel (thyristor) soit forcé de revenir à l'état passant.

Pour remédier aux problèmes mentionnés ci - dessus, il est possible d'ajouter un réseau RC entre les bornes mt1 et mt2 pour limiter les variations de tension afin d'éviter les faux déclenchements. En général, la résistance prend 100r et la capacité prend 100nf. Il est à noter que cette résistance ne peut pas être épargnée.

3, sur le taux de changement de courant de conversion

Lorsque le courant de charge augmente, l'augmentation de la fréquence d'alimentation ou lorsque l'alimentation est une onde non sinusoïdale, le taux de variation du courant de conversion devient élevé, ce qui se produit le plus facilement dans le cas d'une charge sensible et peut facilement entraîner des dommages au dispositif. Il est alors possible de mettre en série dans la boucle de charge une inductance d'air de quelques millihens.

4, sur le taux de variation de tension ouvert de silicium commandable (thyristor) DVD / DT

Lorsque l'on ajoute aux bornes du silicium bidirectionnel (thyristor) à l'état bloqué une tension variable à grande vitesse inférieure à celle du vdfm, le courant de la capacité interne produit un courant de gâchette suffisant pour rendre le silicium (thyristor) conducteur. Ceci est particulièrement grave à haute température, où un circuit tampon RC peut être ajouté entre mt1 et mt2 pour limiter VD / DT, ou un silicium commandable à grande vitesse (Thyristors) peut être utilisé.

5, au sujet de la tension de crête continue ouverte vdrm

En cas d'alimentation anormale, la tension aux bornes du silicium commandable (thyristor) peut dépasser la valeur maximale de la tension crête continue vdrm, lorsque le courant de fuite du silicium commandable (thyristor) augmente et claque la conduction. Si la charge peut permettre un courant de surtension important, la densité de courant locale sur la tranche de silicium est élevée, ce qui rend cette petite partie conductrice. Provoque la puce à brûler ou à endommager. En outre, les lampes à incandescence, les charges capacitives ou les circuits de protection contre les courts - circuits génèrent des courants de surtension plus élevés, lorsque des filtres et des circuits de pincement peuvent être appliqués pour empêcher la tension de pointe (bavure) d'être appliquée au silicium bidirectionnel (thyristor) [2].