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Suite 208, bâtiment 5, 88, route de Yibei, district de Songjiang, Shanghai
Catégories de produits
Shanghai zhangjun Industrial Co., Ltd
Th521 analyseur de paramètres pour semi - conducteurs
NégociableMise à jour sur05/25
- Modèle
- Nature du fabricant
- producteurs
- Catégorie de produit
- Lieu d'origine
Vue d'ensemble
L'analyseur de paramètres de semi - conducteur th521 est une solution complète pour la conception de circuits qui aide les concepteurs de circuits électroniques de puissance à choisir les dispositifs de puissance appropriés à leurs propres applications et à donner à leurs produits électroniques de puissance une grande valeur. Il peut évaluer tous les paramètres pertinents du dispositif dans différentes conditions de fonctionnement, y compris les paramètres IV (tension de claquage et résistance à la conduction), la capacité FET à trois extrémités, la charge de grille et les pertes de puissance. Les Analyseurs de paramètres de semi - conducteurs de la série th521 pour la conception de circuits ont une fonction complète de suivi de courbe, ainsi que d'autres fonctions.
Détails du produit
Th521 analyseur de paramètres pour semi - conducteursPrésentation:
Analyseur de paramètres de semi - conducteursTH521-35-1800CEst une solution complète pour la conception de circuits qui peut aider les concepteurs de circuits électroniques de puissance à choisir des dispositifs de puissance adaptés à leurs propres applications et à laisser leurs produits électroniques de puissance fonctionner*Grande valeur. Il peut évaluer tous les paramètres pertinents du dispositif dans différentes conditions de travail, y comprisIVParamètres (tension de claquage et résistance à la conduction), trois extrémitésFETCapacité, charge de grille et perte de puissance. Pour la conception de circuitsTh521L'analyseur de paramètres de semi - conducteur de série A la fonction complète de traqueur de courbe ainsi que d'autres fonctions.
Analyseur de paramètres de semi - conducteursTH521-35-1800CPrésentation détaillée de
Th521Introduction à l'analyseur de paramètres de semi - conducteur de série:
L'analyseur de paramètres de semi - conducteur de la série th521 est une solution complète pour la conception de circuits qui aide les concepteurs de circuits électroniques de puissance à choisir les dispositifs de puissance appropriés à leurs propres applications et à laisser leurs produits électroniques de puissance fonctionner*Grande valeur. Il peut évaluer tous les paramètres pertinents du dispositif dans différentes conditions de travail, y comprisIVParamètres (tension de claquage et résistance à la conduction), trois extrémitésFETCapacité, charge de grille et perte de puissance. Pour la conception de circuitsTh521L'analyseur de paramètres de semi - conducteur de série A la fonction complète de traqueur de courbe ainsi que d'autres fonctions.
TH521Caractéristiques de l'analyseur de paramètres de semi - conducteur de série:
Th521Caractéristiques conventionnelles
• Jusqu'à3.5kV/1800ALarge gamme de travail
• de -50 °Cà +250 °CTest thermique rapide entièrement automatique
• Création automatique des données techniques des dispositifs de puissance (semi - conducteurs et composants)
• La fonction d'enregistrement automatique empêche la perte de données
• AIÉcriture assistéePythonTester le script
Th521 IVCaractéristiques du kit
• Entièrement automatique et rapide pour l'encapsulation et les dispositifs sur plaquetteIVmesure (RonEt,BVLes fuites,VthEt,VsatEtc.)
• étroitIVLargeur d'impulsion (*étroit 10 μs), peut empêcher l'auto - échauffement du dispositif, plus précisément tester la réalité du dispositif Performance inter
• La vue oscilloscope (vue dans le domaine temporel) permet de surveiller la tension réelle/Forme d'onde d'impulsion de courant pour la quasi Mesurer avec certitude
• La configuration peut être étendue de manière flexible, ajouterCVetQg, gamme de courant à partir de20 AExtension à200AEt,600 Aou1800 A
Th521Caractéristiques complètes du kit
• IVToutes les caractéristiques du kit
• Dispositif d'encapsulation de mesure dans3.5 kVCapacité d'entrée, de sortie et de transfert inverse du transistor dans le temps
(CissEt,CossEt,CrssEt,CiesEt,CoesEt,Cres), et la résistance de grille (Rg) et
• Mesure de la charge de grille du dispositif encapsulé (Qg) La courbe
• Calcul des pertes de puissance (pertes par conduction, entraînement et commutation)
Th521Paramètres techniques de l'analyseur de paramètres de semi - conducteur de série:
MCSMU | |||
Plage de tension, résolution et précision | |||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et |
*Grand courant |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A |
40V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
*haute tension |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V |
1 mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V |
10 mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V |
100 mA |
100 nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V |
1A |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V |
Résolution typique |
6½Position |
||
*Haute tension |
±30V |
||
*Petit courant |
10pA |
||
Impulsions*Grand rapport cyclique |
5%(le pic dépasse100 mALorsque) et |
||
Impulsions*Petite largeur |
10μs |
||
Impulsions*Grande largeur |
100ms(le pic dépasse100 mALorsque) et |
||
Courant continu*Grand courant |
±100 mA |
||
Impulsions*Le grand pic |
±1A |
||
Impulsions*Grande valeur de base |
±50 mA(le pic dépasse100 mALorsque) et |
||
HCSMU | |||
Plage de tension, résolution et précision | |||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et |
*Grand courant |
200 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A |
40V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
*haute tension |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40V |
1 mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40V |
10 mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40V |
100 mA |
100 nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40V |
1A |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40V |
20A |
20μA |
±(0.4 Le + 2E-3+Vo x 1E-4) |
20 V |
Résolution typique |
6½Position |
||
*Haute tension |
±40V |
||
*Petit courant |
10pA |
||
Impulsions*Grand rapport cyclique |
1%(le pic dépasse1ALorsque) et |
||
Impulsions*Petite largeur |
50μs |
||
Impulsions*Grande largeur |
1ms(le pic dépasse1ALorsque) et |
||
Courant continu*Grand courant |
±100 mA |
||
Impulsions*Le grand pic |
±20A |
||
Impulsions*Grande valeur de base |
±100 mA(le pic dépasse1ALorsque) et |
||
MPSMU | |||
Plage de tension, résolution et précision | |||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (% de + mV + mV) et |
*Grand courant |
100 mV |
100 nV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100 mA |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100 mA |
10 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100 mA |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20 mA(≥40V) 50mA(≤40V) |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
*haute tension |
1nA |
1fA |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100 nA |
100fA |
±(0.05 Le + 2E-11 Le + Vo x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1 mA |
1nA |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10 mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100 mA |
100 nA |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20 V |
Résolution typique |
6½Position |
||
*Haute tension |
±100V |
||
*Petit courant |
1fA |
||
HVSMU | |||
Plage de tension, résolution et précision | |||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure±(%+mV) |
*Grand courant |
200V |
200 uV |
±(0,03 + 40) |
10 mA |
500V |
500 uV |
±(0,03 + 100) |
10 mA |
1500V |
1,5 V |
±(0,03 + 300) |
10 mA |
3500V |
3,5 V |
±(0,03 + 600) |
5 mA |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
*haute tension |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10 mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Résolution typique |
6½Position |
||
*Haute tension |
±3500V |
||
*Petit courant |
10fA |
||
UHCU | ||
Plage de tension, résolution et précision | ||
Gamme de tension |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure±(%+mV) |
60V |
100μV |
±(0.2+10) |
Plage de courant, résolution et précision |
sortie/Résolution de mesure |
sortie/Précision de mesure (%+A+A) et |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Impulsions*Grand rapport cyclique |
0,4%(600AGamme de mesure);0,1%(1800AGamme de mesure) et |
|
Impulsions*Petite largeur |
10μs |
|
Impulsions*Grande largeur |
1ms(600AGamme de mesure);500μs(1800AGamme de mesure) et |
|
Impulsions*Le grand pic |
200AEt,600AEt,1800AGamme de mesure |
|
MFCMU | ||
|
fréquence |
Gamme de fréquences |
1kHz ~ 10MHz |
*Petite résolution de fréquence |
1 mHz |
|
Précision de fréquence |
±0,05% |
|
|
ACNiveau |
Gamme de niveaux |
0~250mV |
Résolution |
0,1 mVrms |
|
précision |
±(10%*Valeur de réglage+2mV) |
|
|
DCBiais |
portée |
0±25 V |
Résolution |
1 mV |
|
Précision |
1% *Régler la tension+8mV |
|
Impédance de sortie |
100Ω |
|
Configuration du côté test |
Les quatre paires |
|
Temps de test |
rapide2,5 millimètresVitesse moyenne90 msLent220ms |
|
Capacité |
Afficher la gamme |
0.00001pF~9.99999F |
*Haute précision |
0,05% |
|
Th521Série d'Analyseurs de paramètres de semi - conducteurs tableau des options:
TH521-35-20 |
IV: 3500V/20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |
Th521Analyseur de paramètres de semi - conducteur de série Application:
• Dispositifs de puissance à semi - conducteurs
Diodes, Triodes,MOSFETEt,IGBT, Thyristors, circuits intégrés, puces optoélectroniques et autres tests de capacité parasite,C-VAnalyse des caractéristiques
• Matériaux semi - conducteurs
Découpe de plaquettes,C-VAnalyse des caractéristiques
• Matériaux à cristaux liquides
Analyse de la constante élastique, découpe à cristaux liquides
• Composants capacitifs
CondensateursC-VTest et analyse des caractéristiques, test et analyse des capteurs capacitifs
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