Machine de revêtement de système de dépôt de couche atomique

Machine de revêtement de système de dépôt de couche atomique

Concept de design

La série se peut effectuer des processus Thermal - ALD, peald, Ala, etc.

Les séries se sont très résistantes à la transformation, mais leurs performances et leur stabilité ne sont pas sacrifiées.

3. La conception du système de dépôt de couche atomique a un positionnement de produit pratique, stable et hautement reproductible.

Caractéristiques de conception

Le système modulaire d'importation de précurseurs est facile à entretenir, réparer et étendre jusqu'à 4 groupes de précurseurs et peut utiliser des précurseurs à faible pression de vapeur; Shunt Évitez le blocage des lignes et les problèmes de poussière

2. Conception spéciale à faible taux de fuite, peut exclure la source de contamination à faible dose pour influencer les résultats du processus

3. Répondre à la plupart des besoins actuels de processus de fabrication de matériaux: Oxide ou Nitride d'Al, si, ti, Zr, HF, etc..metal (TBD) 4. Largeur du système unique dans 54cm, taille conviviale de laboratoire

La conception spéciale de la source de plasma (remote plasma) peut augmenter le GPC de 6% (par rapport à ICP)

6. Conception spéciale d'admission d'air amélioration de l'uniformité (U% < 2%) conception spéciale pour les problèmes résiduels d'angle mort

Machine de revêtement de système de dépôt de couche atomique