Gauchissement Wafer instrument de mesure de contrainte

avantage

√ mesure d'échantillonnage uniforme de plein calibre, intervalle d'échantillonnage minimum0,1 mm

√ avec mesure de déformation et mesure de contrainte

√ affichage intuitif de la transformation cristalline causée par le film, peut calculer la courbure et la contrainte de n'importe quel angle

Module supplémentaire pour √ *: module de mesure de la variation de température de contrainte de film mince(température ambiante à500℃）

√ fonctions d'analyse logicielle riches, y compris: diagramme de déformation 3D, statistiques des paramètres de déformation de la plaquette (BOW,GuerreEtc.),ROIPoints Analyse, contrainte et distribution de film mince, variation de contrainte au fil du temps, mesure de la température de contrainte de film mince, calcul de courbure, ajustement polynomial, filtrage spatial et autres algorithmes de post - traitement variés.

Objets applicables

2-8 pouce/ 12 Plaquettes polies en pouces (silicium, arséniure de gallium, carbure de silicium, etc.), plaquettes graphiques, plaquettes collées, plaquettes encapsulées, etc.;Verre de substrat à cristaux liquides; Surfaces traitées par divers procédés de film

Domaines d'application

√ production et contrôle de qualité des semi - conducteurs et des plaquettes de verre

√ recherche et développement de processus de film mince semi - conducteur

√ contrôle du processus et analyse des défaillances pour les processus de fabrication de semi - conducteurs et les processus d'amincissement d'emballage

Principe de détection

√ le processus de fabrication de la plaquette déposera le film à plusieurs reprises sur la surface de la plaquette, la différence entre les caractéristiques du matériau du substrat et du film provoque le gauchissement de la plaquette, le gauchissement et la minceurLe stress de la membrane peut avoir un impact important sur la performance du processus

√ mesure de la distribution de déformation tridimensionnelle du Wafer par la méthode d'imagerie par réflexion de la lumière structurelle, extrapolant la composante de contrainte du film mince par mesure du rayon de courbure de déformationTissu, avec sans contact, sans balayage mécanique et caractéristiques de taux d'échantillonnage élevé, le temps de mesure de plein calibre de la plaquette est inférieur à30 ans

√ parStoneyFormules et modèles associés calcul de la distribution des contraintes du film mince Wafer

Gauchissement Wafer instrument de mesure de contrainte