Machine de lithographie par faisceau électronique elionix

NégociableMise à jour sur05/07

Modèle

Nature du fabricant: producteurs

Catégorie de produit

Lieu d'origine

Consulter en ligne

Vue d'ensemble

Marque: elionix $R $N $R $N $R $N $R $N modèle: ELS - f125 / F100 / hs50 $R $N $R $N $R $N $R $N exposition par faisceau d'électrons, écriture directe par faisceau d'électrons, lithographie par faisceau d'électrons $r $N $R $N $R $N utilisation: utiliser le faisceau d'électrons pour écrire des motifs à l'échelle nanométrique sur la résine, exposition et développement par le dispositif elb, peut être utilisé pour traiter des structures fines de Sub - 10nm.

Détails du produit

Présentation

L'ELS - f125 est l'un des systèmes d'exposition par faisceau d'électrons d'elionix pour des tensions accélérées allant jusqu'à 125 KV, qui peut traiter des graphiques fins avec une largeur de ligne inférieure de 5 nm. (les paramètres suivants sont basés sur els - f125)

L'ELS - f125 présente les avantages suivants:

L ultra haute précision d'écriture de livre

- précision de largeur de ligne de 5 nm @ 125 KV

- diamètre du faisceau d'électrons de 1,7 nm et effet de proximité minimisé @ 125 KV

L haut débit, bonne uniformité

- Écriture de champ de vision extra large: largeur de ligne de 10 nm sous un champ de vision de 500 µm

- le diamètre du faisceau d'électrons sous le flux de faisceau élevé reste faible, haut débit sans affecter la résolution, 2 nm diamètre du faisceau d'électrons @ 1 na

L interface conviviale

Interface CAD et SEM pour systèmes Windows:

- fonction de conception de modèle simple et facile à utiliser

- conditions de faisceau d'électrons faciles à contrôler

II. Fonctions principales

L applications principales

Microstructures de nanodispositifs

Optique intégrée, telle qu'un réseau, un cristal photonique, etc.

Structure NEMS, structure fine complexe

Modèle de masque de lithographie, modèle d'impression

L capacité technique

Produit similaire Recommander