Système de dépôt chimique en phase vapeur basse pression LPCVD

1 Présentation du produitPour:

Système de dépôt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD), est une technique permettant de faire réagir un composé gazeux à la surface d'un substrat et de le déposer pour former un film mince solide stable par chauffage à basse pression. Ce système est utilisé dans la fabrication de semi - conducteurs, l'électronique de puissance, l'optoélectronique etMEMSD'autres domaines ont une large application.LPCVDGrâce à un contrôle précis des paramètres tels que la température, la pression et le débit de gaz, le système peut former un film de bonne uniformité sur la surface du substrat et répondre à divers besoins de processus.

2 Utilisation de l'équipement:

LPCVDLes principales utilisations du système sont:

1. Dépôt de film mince: pour le dépôt de plusieurs matériaux de film mince, tels quepoly-Si(silicium polycristallin),Si3N4(Nitrure de silicium),SiO2(silice), verre de phosphosilicum, verre de borophosphosilicum, siliciure de silicium amorphe et de métal réfractaire, etc. Ces films minces sont utilisés dans les dispositifs à semi - conducteurs, l'électronique de puissance, l'optoélectronique etMEMSJoue un rôle clé dans la structure.

2. Fabrication de semi - conducteurs: dans le processus de fabrication de circuits intégrés semi - conducteurs,LPCVDLe système est utilisé pour former des structures critiques telles que l'oxyde de grille, la couche de passivation de surface, la couche tampon de contrainte de nitrure, la couche d'oxyde sacrificiel et la couche d'oxyde barrière.

3. Applications optoélectroniques: dans le domaine de l'optoélectronique,LPCVDLe système est utilisé pour préparer le Guide d'onde optique, la couche d'indice de réfraction variable, la couche antireflet et d'autres films minces optiques, améliorant les performances du dispositif.

3 Caractéristiques de l'équipement

LPCVDLe système présente les caractéristiques suivantes:

1. Environnement basse pression: le dépôt est effectué dans des conditions de basse pression, ce qui contribue à réduire les collisions et la diffusion des molécules de gaz et à améliorer l'uniformité et la qualité du film.

2. Contrôle de haute précision: le système utilise une technologie avancée de contrôle de la température, de la pression et du débit de gaz pour contrôler avec précision les paramètres du processus de dépôt et assurer la précision et la cohérence du film.

3. Polyvalence: capable de déposer une grande variété de matériaux de film mince pour répondre à différents besoins de processus, avec une large gamme d'applications.

4. Haute efficacité: en raison de la faible pression de travail et du grand coefficient moyen de libre passage et de diffusion des molécules de gaz, la productivité peut être augmentée par un chargement intensif.

4 Paramètres techniques et caractéristiques:

1. Répondre aux exigences de haute température et de refroidissement rapide pour la recherche sur le Graphène et les nanotubes de carbone

2. diamètre200Chambre de quartz en millimètres

3. Tube de quartz interne conçu pour faciliter le démontage et le nettoyage

4. Taille du substrat jusqu'au diamètre150Millimètres

5. Four à résistance à trois zones,150Zone de température uniforme en millimètres

6. Température élevée jusqu'à1000°C

7. Utiliser le type étrangléTVAVanne papillon contrôle de pression en aval dans50 mTorrà500 mTorrEntre

8.8Pieds cubes/DiviséEbara ESA25-DPompe à vide sèche-Deux aspirateurs secs